| DDR memory type | DDR2, DDR3, DDR4 |
| Control mode | S3, S4/S5 |
| Iout VTT (Max) (A) | 3 |
| Iq (Typ) (mA) | 18 |
| Output | VREF, VTT |
| Vin (Min) (V) | 0.9 |
| Vin (Max) (V) | 3.5 |
| Features | Complete Solution, Shutdown Pin for S3 |
| Rating | Space |
- QML V 類符合 5962-14228(1)(2)
- 總電離劑量為 100krad (Si)
- 高劑量率 (HDR) (50-100 rad(Si)/s)
- 低劑量率 (LDR) (0.01 rad(Si)/s)
- 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子?xùn)糯?(SEGR)、單粒子燒毀 (SEB) 對于線性能量傳輸 (LET) 的抗擾度 = 65MeV-cm2/mg
- 單粒子瞬變 (SET)、單粒子功能中斷 (SEFI)、單粒子翻轉(zhuǎn) (SEU) 的抗擾度為 65MeV-cm2/mg（詳細(xì)信息請參見）
- 總電離劑量為 100krad (Si)
- 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3LP 和 DDR4 終端 應(yīng)用 并兼容 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)
- 輸入電壓：支持 2.5V 和 3.3V 電源軌(3)
- 獨(dú)立低電壓輸入 (VLDOIN) 降至
0.9V 以改善電源效率(3) - 具有壓降補(bǔ)償功能的 3A 灌電流/拉電流終端穩(wěn)壓器
- 用于電源排序的使能輸入和電源正常輸出
- VTT 終端穩(wěn)壓器
- 輸出電壓范圍：0.5V 至 1.75V
- 3A 灌電流和拉電流
- 精度為 ±20mV
- 具有感測輸入的精密集成分壓器網(wǎng)絡(luò)
- 遠(yuǎn)程感測 (VOSNS)
- VTTREF 緩沖參考輸出
- 精度為 VDDQ/2 ± 1%
- ±10mA 灌/拉電流
- 集成了內(nèi)置軟啟動(dòng) (SS)、欠壓鎖定 (UVLO) 以及過流限制 (OCL) 功能
應(yīng)用
- 采用 DDR、DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 和 DDR4 存儲器的 單電路板計(jì)算機(jī)、固態(tài)記錄器和載荷 應(yīng)用
- 超快速瞬態(tài)電源 應(yīng)用
- 支持軍用溫度范圍（-55°C 至 125°C）
- 提供工程評估 (/EM) 組件(4)
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TPS7H3301-SP 是一款內(nèi)置 VREF 的 TID 和單粒子效應(yīng) (SEE) 抗輻射加固型雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 3A 終端穩(wěn)壓器。該穩(wěn)壓器專門用于為空間 DDR 終端應(yīng)用 （如單電路板計(jì)算機(jī)、固態(tài)記錄器和載荷處理應(yīng)用） 提供一套完整的緊湊型、低噪聲解決方案。
TPS7H3301-SP 支持并兼容 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 以及相關(guān)的低功耗 JEDEC 規(guī)范。憑借快速瞬態(tài)響應(yīng)，TPS7H3301-SP VTT 穩(wěn)壓器可在讀取/寫入狀態(tài)下提供穩(wěn)定性較高的電源。TPS7H3301-SP 還包含一個(gè)內(nèi)置的 VREF 電源。該電源可跟蹤 VTT 以進(jìn)一步縮減解決方案尺寸。在瞬態(tài)變化過程中，VREF 電源的快速跟蹤功能能夠最大限度地降低 VTT 和 VREF 之間的電壓偏移。請參見。
為了簡單的啟用電源排序，使能輸入和電源正常輸出 (PGOOD) 已在 TPS7H3301-SP 中集成。PGOOD 輸出是開漏輸出，因此可在所有電源進(jìn)入穩(wěn)壓狀態(tài)時(shí)將其與多個(gè)開漏輸出相連來進(jìn)行監(jiān)控。使能信號還可用于在掛起至 RAM (S3) 斷電模式時(shí)使 VTT 放電。
TPS7H3301-SP 采用 TI 常用的 16 引腳耐熱增強(qiáng)型雙陶瓷扁平封裝 (HKR)，TPS7H1101-SP 同樣采用這種封裝。
