--- 產品詳情 ---
80V 高溫寬輸入范圍同步降壓控制器
Vin (Min) (V) | 6 |
Vin (Max) (V) | 80 |
Vout (Min) (V) | 1.215 |
Vout (Max) (V) | 80 |
Iout (Max) (A) | 20 |
Iq (Typ) (uA) | 4600 |
Switching frequency (Min) (kHz) | 50 |
Switching frequency (Max) (kHz) | 1000 |
Features | Enable, Frequency Synchronization, Light Load Efficiency |
Regulated outputs (#) | 1 |
Number of phases | 1 |
Rating | High Temp |
- 仿真峰值電流模式
- 高達 80V 的寬工作范圍
- 低 IQ 關斷 (< 10μA)
- 驅動標準或邏輯電平金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)
- 穩健耐用的 3.5A 峰值柵極驅動
- 自由運行或同步運行至 1MHz
- 可選二極管仿真模式
- 從 1.215V 至 80V 的可編程輸出
- 精密 1.5% 電壓基準
- 可編程電流限制
- 可編程軟啟動
- 可編程線路欠壓閉鎖
- 自動切換至外部偏置電源
應用范圍
- 潛孔打鉆
- 高溫環境
支持極端溫度環境下的應用
- 受控基線
- 同一組裝和測試場所
- 同一制造場所
- 支持極端(-55°C 至 175°C)溫度范圍
- 延長的產品生命周期
- 延長的產品變更通知
- 產品可追溯性
- 德州儀器 (TI) 高溫產品利用高度優化的硅(芯片)解決方案,此解決方案對設計和制造工藝進行了提升以在擴展的溫度范圍內大大地提高性能。
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LM5116 是一款用于由高壓或寬范圍變化輸入電源供電的降壓穩壓器應用的同步降壓控制器。 此控制方法基于采用一個經仿真電流斜坡的電流模式控制。 電流模式控制可提供固有的線路前饋、逐周期電流限制和簡化的環路補償。 經仿真控制斜坡的使用減少了脈寬調制電路的噪聲敏感度,從而實現高輸入電壓應用中所必需的對極小占空比的可靠控制。 工作頻率可在 50kHz 至 1MHz 之間進行編程。 LM5116 使用自適應死區時間控制來驅動外部高側和低側 NMOS 功率開關。 一個用戶可選二極管仿真模式可實現斷續模式運行,以提高輕負載時的效率。 一個低靜態電流關斷禁用控制器,并且消耗的總輸入電流少于 10μA。 額外特性包括一個高壓偏置穩壓器、用于提高效率的自動切換至外部偏壓、熱關斷、頻率同步、逐周期限流限制和可調線路欠壓閉鎖。
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