適用于 Intel VR13 CPU VCORE 和 DDR 存儲器的兩相 D-CAP+? 降壓控制器
| Vin (Min) (V) | 4.5 |
| Vin (Max) (V) | 28 |
| Vout (Min) (V) | 0.5 |
| Vout (Max) (V) | 3.04 |
| Iout (Max) (A) | 95 |
| Iq (Typ) (uA) | 3500 |
| Switching frequency (Min) (kHz) | 300 |
| Switching frequency (Max) (kHz) | 1000 |
| Features | Adjustable Current Limit, Dynamic Voltage Scaling, Enable, Light Load Efficiency, Output Discharge, Phase Interleaving, Power Good, Pre-Bias Start-Up, Remote Sense, SVID, Synchronous Rectification |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Number of phases | 2 |
| Rating | Catalog |
- 兼容 Intel?VR13 串行 VID (SVID)
- 單相或兩相運行
- 支持壓降和非壓降 應用
- 8 位 DAC，具有 10mV 的步長
- 4.5V 至 28V 轉換電壓范圍
- 輸出電壓范圍：0.5V 到 2.3V
- 輕重負載情況下效率均得到優化
- 8 級獨立的過沖衰減 (OSR) 和下沖衰減 (USR)
- 無驅動器配置，有助于實現高效的高頻開關
- 支持分立式、電源塊、 功率級?或 DrMOS MOSFET 實施
- 精確可調電壓定位
- 300kHz 至 1MHz 的頻率選擇
- 已獲專利 AutoBalance?相位均衡
- 適用于負載瞬態升壓的可編程 ON-Pulse 擴展
- 可編程自動 DCM 和 CCM 運行
- 可選 8 級電流限制
- 小型 32 引腳 4mm × 4mm VQFN 封裝 PowerPad?封裝
TPS53627 器件是兼容 VR13 SVID 的無驅動器同步降壓控制器。高級控制 特性 （例如具有重疊脈沖的 D-CAP+ ?架構）支持下沖衰減 (USR) 和過沖衰減 (OSR)，可提供快速瞬態響應、最低輸出電容和高效率。該器件還支持在 CCM 和 DCM 運行情況下進行單相運行，從而提高輕負載情況下的效率。該器件集成了一整套 VR13 I/O 特性， 包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允許在 00h 到 07h 的時間范圍內進行編程。輸出電壓轉換率的可調節控制可編程為高達 20mV/uS。
與 TI NexFET?功率級配合使用時，該總體解決方案可提供超高速度和低開關損耗。
TPS53627 器件采用節省空間的熱增強型 32 引腳 VQFN 封裝，可在 –40°C 到 + 105°C 溫度下運行。
