具有自舉二極管的汽車類 100V（最大值）簡單三相柵極驅動器
| Rating | Automotive |
| Architecture | Gate driver |
| Control interface | 6xPWM, 3xPWM |
| Gate drive (A) | 0.75 |
| Vs (Min) (V) | 5 |
| Vs ABS (Max) (V) | 100 |
| Features | Bootstrap Diode |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
- 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準
- 溫度等級 1：–40°C ≤ TA ≤ 125°C
- 100V 三相半橋柵極驅動器
- 驅動 N 溝道 MOSFET (NMOS)
- 柵極驅動器電源 (GVDD)：5-20V
- MOSFET 電源 (SHx) 支持高達 100V 的電壓
- 集成自舉二極管
- 自舉柵極驅動架構
- 750mA 拉電流
- 1.5A 灌電流
- 支持高達 48V 的汽車系統
- SHx 引腳具有低泄漏電流（小于 55μA）
- 絕對最大 BSTx 電壓高達 115V
- 支持 SHx 上低達 -22V 的負電壓瞬變
- 內置跨導保護
- 固定插入 215 ns 死區時間
- 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入（絕對最大值為 20V）
- 4ns 典型傳播延遲匹配
- 緊湊型 TSSOP 封裝
- 具有電源塊的高效系統設計
- 集成保護特性
- BST 欠壓鎖定 (BSTUV)
- GVDD 欠壓 (GVDDUV)
DRV8300 -Q1 是一款 100V 三相半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側 N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和外部電容為高側 MOSFET 生成合適的柵極驅動電壓。GVDD 用于為低側 MOSFET 生成柵極驅動電壓。柵極驅動架構支持高達 750 mA 的峰值拉電流和 1.5A 的峰值灌電流。
相位引腳 SHx 能夠承受顯著的負電壓瞬變；而高側柵極驅動器電源 BSTx 和 GHx 能夠支持更高的正電壓瞬變 (115V) 絕對最大值，從而提高系統的穩健性。較小的傳播延遲和延遲匹配規格可最大限度地降低死區時間要求，從而進一步提高效率。通過 GVDD 和 BST 欠壓鎖定功能為低側和高側提供欠壓保護。
