| Supply voltage (Min) (V) | 3.1 |
| Supply voltage (Max) (V) | 3.6 |
| Input type | Standard CMOS |
| Output type | 3-State |
| Clock Frequency (Max) (MHz) | 1 |
- 針對(duì)高溫環(huán)境的 32 兆位閃存
- 串行外設(shè)接口 (SPI) 兼容（模式 0 和 3）
- 用于 IO 的 3.3V 電源，用于內(nèi)核的 1.9V 電源
- 2M x 16 位字存取
- 異步讀取、寫(xiě)入和擦除操作
- 只在 -55°C 至 125°C 溫度范圍內(nèi)支持擦除操作
- 12MHz 最高時(shí)鐘頻率
- 使用壽命：1000 個(gè)程序和擦除周期
- 數(shù)據(jù)保留：1000 小時(shí)
- ESD 保護(hù)：2kV HBM，500V CDM
- 8mm x 20mm 14 引腳陶瓷 HKN 封裝和 KGD（裸芯片）封裝
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SM28VLT32 是一款 32 兆位閃存存儲(chǔ)器，此存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)用于存儲(chǔ)程序代碼和/或采集到的數(shù)據(jù)。 這個(gè)器件的寬溫度額定值使得它非常適合于需要在惡劣環(huán)境中可靠執(zhí)行的應(yīng)用。 SM28VLT32 借助于它的串行外設(shè)接口 (SPI) 提供低引腳數(shù)量以實(shí)現(xiàn)額外的可靠性以及這些應(yīng)用中的簡(jiǎn)便組裝。
存儲(chǔ)器被分區(qū)成扇區(qū)以提供每個(gè) 16 位的 2M 字尋址。 因此，存儲(chǔ)器地址為 21 位寬。
SM28VLT32 支持串行外設(shè)接口以在閃存存儲(chǔ)器中讀取/寫(xiě)入/擦除數(shù)據(jù)。 此接口與模式 0 (CPOL = 0，CPHA = 0)和 3 (CPOL = 1，CPHA = 1) 兼容。 將 CS# 置為有效將使器件進(jìn)入通信模式。 在 CS# 被取消置位時(shí)，器件忽略 SPI 引腳上的所有活動(dòng)。 如中所示，為了在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)較大存儲(chǔ)器，可通過(guò)獨(dú)立控制 CS# 引腳由一個(gè)單個(gè)主控器件來(lái)控制多個(gè) SM28VLT32 器件。 將 HOLD# 引腳置為有效（同時(shí) CS# 也被置位）將使器件忽略其它 SPI 輸入引腳（SCK 和 SI）上的活動(dòng)。
SM28VLT32 使用 WP# 引腳來(lái)支持一個(gè)硬件數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。 如果 WP# 為低電平，擦除和編程操作被禁止。
