--- 產品參數 ---
- 低噪聲系數 1.7 dB(典型值)
- 高增益 15.5 dB(典型值)
- 高OIP3 34 dBm(典型值)
--- 產品詳情 ---

HMC8411LP2FE 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、低噪聲寬帶放大器,工作頻率范圍為 0.01 GHz 至 10 GHz。
HMC8411LP2FE 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪聲系數和 34 dBm 的典型輸出三階截距 (OIP3),在 5 V 電源電壓下僅需 55 mA。典型值 19.5 dBm的飽和輸出功率 (P SAT ) 使低噪聲放大器 (LNA) 能夠用作許多 Analog Devices, Inc. 的平衡、同相/正交 (I/Q) 的本地振蕩器 (LO) 驅動器),或鏡像抑制混頻器。
HMC8411LP2FE 還具有內部匹配至 50 Ω 的輸入和輸出,使該器件非常適合基于表面貼裝技術 (SMT) 的高容量微波無線電應用。
HMC8411LP2FE 采用符合 RoHS 標準的 2 mm × 2 mm、6 引腳 LFCSP 封裝。
多功能引腳名稱只能由其相關功能引用。
應用
- 測試儀器
- 軍事通訊
- 低噪聲系數:1.7 dB(典型值)
- 單正電源(自偏置)
- 高增益:15.5 dB(典型值)
- 高OIP3:34 dBm(典型值)
- 6引腳、2 mm × 2 mm LFCSP
HMC8411TCPZ-EP支持防務和航空航天應用(AQEC標準)
- 軍用溫度范圍(-55℃至+125℃)
- 受控制造基線
- 唯一封裝/測試廠
- 唯一制造廠
- 產品變更通知
- 認證數據可應要求提供
ADL8150-Die
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