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ADL5521是一款高性能GaAs pHEMT低噪聲放大器。它提供高增益與低噪聲系數，適合于單一下變頻IF采樣接收機架構與直接下變頻接收機。
高集成度的ADL5521內置有源偏置與隔直電容，非常易于使用，并且不會犧牲設計靈活性。
ADL5521僅需少量外部器件即可調諧。這款器件的工作電壓范圍為3 V～5 V，源電流可以通過外部偏置電阻進行調節，以適應低功耗應用的需求。
ADL5521采用緊湊散熱增強型3 mm × 3 mm LFCSP封裝，工作溫度范圍為-40°C～+85°C。
還可提供完全組裝的評估板。
- 工作頻率范圍：400 MHz～4000 MHz
- 噪聲系數：0.8 dB @ 900 MHz
- 僅需少量外部器件
- 內置有源偏置控制電路
- 內置隔直電容
- 可調偏置，適合低功耗應用
- 單電源電壓：3 V～5 V
- 增益：20.8 dB @ 900 MHz
- OIP3：37.0 dBm @ 900 MHz
- P1dB ：21.8 dBm @ 900 MHz
- 小尺寸LFCSP封裝
- 提供21.5 dB增益的引腳兼容版本
HMC753
HMC772
ADL5521
ADL5523
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