--- 產品參數 ---
- 低噪聲系數 1.4 dB(典型值)
- 高增益 ≤15.5 dB(典型值)
- 高OIP3 ≤33 dBm(典型值)
- 封裝 LFCSP
--- 產品詳情 ---
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HMC8412 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器,工作范圍為 0.4 GHz 至 11 GHz。
HMC8412 提供 15.5 dB 的典型增益、1.4 dB 的典型噪聲指數和 ≤33 dBm 的典型輸出三階交調點 (OIP3),只需要來自 5 V 漏極電源電壓的 60 mA 的電流。≤ 20.5 dBm 的典型飽和輸出功率 (PSAT) 可以使低噪聲放大器 (LNA) 用作 ADI公司眾多平衡式同相和正交 (I/Q) 或鏡像抑制混頻器的本地振蕩器 (LO) 驅動器。
HMC8412 還具有可在內部匹配至 50 ? 的輸入和輸出,使得該套件非常適合基于表面貼裝技術 (SMT) 的高容量微波射頻應用。
HMC8412 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引腳 LFCSP 封裝。
應用
- 測試儀器儀表
- 電信
- 軍用雷達與通信電子戰
- 航空航天
- 低噪聲系數:1.4 dB(典型值)
- 單正電源(自偏置)
- 高增益:≤15.5 dB(典型值)
- 高OIP3:≤33 dBm(典型值)
- 符合RoHS標準的2 mm x 2 mm、6引腳LFCSP封裝
HMC8412TCPZ-EP支持防務和航空航天應用(AQEC標準)
- 軍用溫度范圍(?55℃至+125℃)
- 受控制造基線
- 唯一封裝/測試廠
- 唯一制造廠
- 產品變更通知
- 認證數據可應要求提供
- V62/21602 DSCC圖紙號
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HMC-ALH509-Die
HMC-AUH232-Die
HMC-AUH312-Die
HMC594-Die
HMC594LC3B
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