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ADRF5144是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開關，采用硅工藝制造。
ADRF5144的工作頻率范圍為1 GHz至20 GHz，具有0.85 dB的典型插入損耗以及48 dBm的典型隔離性能。針對插入損耗路徑，該器件具有40 dBm（平均功率）和待定dBm（峰值功率）的射頻(RF)輸入功率處理能力。ADRF5144還支持9 kHz至26.5 GHz的擴展頻率范圍以及低于1 GHz但高于20 GHz的降額功率處理能力。
ADRF5144在+3.3 V正電源電壓和?3.3 V負電源電壓下分別消耗130 μA和510 μA的低電流。該器件具有互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。ADRF5144無需額外的驅動器電路，使其成為基于GaN和PIN二極管開關的出色替代器件。
ADRF5144也可以在單個正電源電壓(VDD)下工作，同時負電源電壓(VSS)接地。在此工作條件下，可在降低開關特性、線性度和功率處理性能的同時保持小信號性能，參見數據手冊中的表2。
ADRF5144采用符合RoHS標準的20引腳、3.0 mm × 3.0 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為?40°C至+85°C。
應用
- 測試儀器儀表
- 軍用無線電、雷達和電子對抗
- 衛星通信
- GaN和PIN二極管替代器件
- 寬帶頻率范圍：1 GHz至20 GHz
- 低插入損耗：0.8 dB（典型值）至20 GHz
- 高隔離度：48 dB（典型值）至20 GHz
- 高輸入線性度：
- 0.1 dB功率壓縮(P0.1dB)：44 dBm
- 三階交調點(IP3)： >68 dBm
- 二階交調截點(IP2)：112 dBm
- TCASE = 85°C時高功率處理能力：
- 插入損耗路徑：
- 平均值：40 dBm
- 峰值（100 ns脈沖寬度，2%占空比）：TBD dBm
- 脈沖（100 μs脈沖寬度，15%占空比）：43 dBm
- 插入損耗路徑：
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- 熱切換：37 dBm
- 0.1 dB RF建立時間（PIN <37dBm）：待定
- 無低頻雜散
- 正控制接口：CMOS/LVTTL兼容
- 20引腳、3.0 mm × 3.0 mm LGA封裝
- 與 ADRF5141 引腳兼容
ADRF5345NEW
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