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ADRF5547 是一款雙通道集成式 RF 前端多芯片模塊，專為工作頻率為 3.7 GHz 至 5.3 GHz 的時分雙工 (TDD) 應用而設計。ADRF5547 采用雙通道配置，包含級聯兩級低噪聲放大器 (LNA) 和高功率硅單刀雙擲 (SPDT) 開關。

在高增益模式下，級聯兩級 LNA 和開關提供 1.6 dB 的低噪聲指數和 33 dB 的高增益（頻率為 4.6 GHz）以及 31 dBm（典型值）的輸出 3 階交調點 (OIP3)。

在低增益模式下，兩級 LNA 的一級處于旁路狀態，在 36 mA 的較低電流下提供 18 dB 的增益。在關斷模式下，LNA 將關閉，器件流耗為 12 mA。 

在發射過程中，當 RF 輸入連接到端電極引腳（TERM-ChA 或 TERM-ChB）時，該開關提供 0.50 dB 的低插入損耗，并在整個生命周期內具有 40 dBm 的長期演進 (LTE) 平均功率（9 dB 峰值/平均值比 (PAR)）處理能力，而在單一事件（<10 秒）LNA 保護模式下為 43 dBm。

該器件采用符合 RoHS 標準的緊湊型 40 引腳 6 mm × 6 mm LFCSP 封裝。

應用 

• 無線基礎設施
• TDD 大規模多輸入和多輸出 (MIMO) 以及有源天線系統
• 基于 TDD 的通信系統
• 集成式雙通道 RF 前端
  • 2 級 LNA 和高功率 SPDT 開關
  • 片內偏置和匹配
  • 單電源供電
• 增益
  • 高增益模式：4.6 GHz 時為 33 dB（典型值）
  • 低增益模式：4.6 GHz 時為 18 dB（典型值）
• 低噪聲指數
  • 高增益模式：4.6 GHz 時為 1.6 dB（典型值）
  • 低增益模式：4.6 GHz 時為 1.6 dB（典型值）
• 高通道間隔離
  • RxOUT-ChA 和 RxOUT-ChB 之間：45 dB（典型值）
  • TERM-ChA 和 TERM-ChB 之間：53 dB（典型值）
• 低插入損耗：4.6 GHz 時為 0.5 dB（典型值）
• TCASE = 105°C 時具有高功率處理能力
  • 整個生命周期
    • LTE 平均功率 (9 dB PAR)：40 dBm
  • 單一事件（運行時間 <10 秒）
    • LTE 平均功率 (9 dB PAR)：43 dBm
• 高 OIP3：31 dBm（典型值）
• 關斷模式和低增益模式（針對 LNA）
• 低電源電流
  • 高增益模式：5 V 時為 86 mA（典型值）
  • 低增益模式：5 V 時為 36 mA（典型值）
  • 關斷模式：5 V 時為 12 mA（典型值）
• 正邏輯控制
• 40 引腳 6 mm × 6 mm LFCSP 封裝

ADRF5515A

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ADRF5545A

ADRF5549

ADRF5547

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