--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率 30 MHz 至 3 GHz
- 力量 40分貝
- 功率(W) 10 瓦
- 飽和功率 40.4 分貝
- 脈沖寬度 100 我們
--- 產(chǎn)品詳情 ---

TriQuint 的 TGF3015-SM 是一種分立式 GaN on SiC HEMT,工作頻率范圍為 0.03 至 3 GHz。它在 2.4 GHz 時提供 11 W 的輸出功率 (P3dB),線性增益高達 17.1 dB,PAE 為 62.7 %。它需要 32 V 的電源并消耗 50 mA 的電流。該晶體管采用無鉛封裝,尺寸為 3 x 3 mm,符合 RoHS 標準。它可用于軍用雷達、民用雷達、測試儀器以及專業(yè)和軍用無線電通信應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號 TGF3015-SM
制造商 科爾沃
描述 11 瓦 GaN 功率晶體管,頻率范圍為 0.03 GHz 至 3 GHz
一般參數(shù)
晶體管類型 HEMT
技術(shù) 碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè) 無線基礎(chǔ)設(shè)施、雷達、航空航天與國防、測試與測量
應(yīng)用 軍事、通信、干擾器、測試儀器、C 波段、ISM 波段
連續(xù)波/脈沖 脈沖,連續(xù)波
頻率 30 MHz 至 3 GHz
力量 40分貝
功率(W) 10 瓦
飽和功率 40.4 分貝
脈沖寬度 100 我們
占空比 0.2
獲得 17分貝
電源電壓 32 伏
電壓 - 柵源 (Vgs) -2.7 伏
靜態(tài)漏極電流 50毫安
阻抗 Z 50 歐姆
包裝類型 表面貼裝
包裹 3 x 3 毫米
RoHS 是的
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