Qorvo 的 TGF2929-HM 是一款 100 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為直流至 3.5 GHz。它提供 17.4 dB 的線性增益并需要 28 V DC 電源。該器件是基于 Qorvo 驗證的 QGaN25HV 工藝開發的，該工藝采用先進的場板技術，可在高漏極偏置工作條件下優化功率和效率。這種優化通過更少的放大器陣容和更低的熱管理成本來降低系統成本。這種 GaN on SiC HEMT 采用密封法蘭封裝。它可用于廣泛的應用，包括空間雷達、衛星通信、軍用雷達和民用雷達、干擾器、測試儀器和無線電通信。

產品規格

產品詳情

零件號                TGF2929-HM

制造商                科爾沃

描述                   100 瓦 GaN on SiC HEMT，從直流到 3.5 GHz

一般參數

晶體管類型         HEMT

技術                   碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應用行業            無線基礎設施、雷達、航空航天與國防、測試與測量

應用                  軍事、通信、干擾器、測試儀器

連續波/脈沖      脈沖，連續波

頻率                 直流至 3.5 GHz

力量                 50分貝

功率(W)           100 瓦

飽和功率          51.2 分貝

脈沖寬度         100 我們

占空比            0.2

獲得               17.4分貝

電源電壓        12 至 60 伏

電壓 - 柵源 (Vgs)  -2.8 伏

靜態漏極電流   260毫安

包裝類型         法蘭

RoHS            是的

年級              空間合格

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