Qorvo 的 QPD0020 是一款 GaN 射頻功率晶體管，工作頻率范圍為 DC 至 6 GHz。它提供高達 34.7 瓦的飽和輸出功率，P3dB 增益為 18.8 dB，漏極效率高達 77.8%。該器件需要 48 V 的電源電壓。這種 GaN-on-SiC HEMT 晶體管可以支持 CW 和脈沖操作模式。

該器件采用行業標準的表面貼裝 QFN 封裝，尺寸為 4x3 mm，是雷達、W-CDMA/LTE、宏蜂窩基站驅動器、小型蜂窩終端、有源天線、陸地移動和軍用無線電通信的理想選擇應用程序。

產品規格

產品詳情

零件號            QPD0020

制造商            科爾沃

描述               從 DC 到 6 GHz 的 GaN-on-SiC HEMT 晶體管

一般參數

晶體管類型    HEMT

技術              碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應用行業       航空航天與國防，蜂窩

應用              微蜂窩基站、W-CDMA / LTE、有源天線、Small Cell

連續波/脈沖  脈沖，連續波

頻率             直流至 6 GHz

力量             45.4 dBm(Psat)

功率(W)       34.7 瓦（帕薩特）

脈沖寬度      100 我們

占空比          10%

獲得             17.7 至 18.8 dB（3dB 壓縮）

電源電壓      48 伏

排水效率      77.8%

靜態漏極電流  30毫安

包裝類型       表面貼裝

包裹            20 引腳 QFN 封裝

方面            4 x 3 毫米

RoHS          是的

工作溫度     -40 至 85 攝氏度

貯存溫度      -65 至 150 攝氏度

相關型號

NLB-310                   RFPA1012             RF7234                 RF2815

RFDA0016               S518324-44Z          SGA8343Z           RF2312

RFDA2025               CGB-1089Z            RF3376                  RF2173

RFDA0026               NBB-500                NBB-310               RF5355

SBA4086Z               CGA-1518Z            SXE1089Z              RF3378