Qorvo 的 QPD0007 是一款單路徑分立式 GaN 晶體管，工作頻率范圍為 DC 至 5 GHz。它是一個單級晶體管，提供 43 dBm 的飽和輸出功率，效率高達 73%。這種符合 RoHS 標準的晶體管需要 48 V 的直流電壓并消耗 32.5 mA 的電流。它采用 GaN on SiC HEMT 工藝制造，采用尺寸為 4.5 x 4.0 mm 的 DFN 封裝。該晶體管可用于 WCDMA/LTE、宏蜂窩/微蜂窩基站、小型蜂窩、有源天線、5G 大規模 MIMO 和通用應用。

產品規格

產品詳情

零件號                   QPD0007

制造商                  科爾沃

描述                     20 W GaN on SiC HEMT，從直流到 5 GHz

一般參數

晶體管類型          HEMT

技術                    碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應用行業             無線基礎設施，蜂窩

應用                   5G Massive MIMO、W-CDMA / LTE、Microcell 基站、Small Cell、有源天線

頻率                  直流至 5 GHz

飽和功率           43分貝

獲得                 19分貝

電源電壓           48 V（漏極）

排水效率           73%

漏電流              32.5 毫安

無鉛                 是的

包裝類型         表面貼裝

包裹                東風

方面                4.5 x 4.0 毫米

RoHS              是的

年級                商業，空間合格

相關型號  

TQP3M9005       TAT7466                TQP7M9102             TQM8M9077

TQP3M9006       TGA2312-FL           TGA4600                TQP3M9018

WJA1510          TGA2803-SM          TQP3M9008             TGA4507

TGA4030-SM    TQM640002            WJA1500               TQP3M9007

TGA4506          TGA2512               TQP3M9019            TGA2814