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深圳市聚成恒信電子科技有限公司

致力于全面服務射頻微波,毫米微波客戶,將射頻微波,毫米微波原材料聚成恒信電子秉承長期合作拉近原廠與終端用戶的距離為促進三方共贏的良性合作關系

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EGN26C105I2D 是一款射頻晶體管

型號: EGN26C105I2D

--- 產品參數 ---

  • 頻率 2.6GHz
  • 力量 47.3 分貝
  • 功率(W) 53.7 瓦
  • 飽和功率 49.5 至 50.3 dBm
  • 功率增益 (Gp) 16 至 17 分貝

--- 產品詳情 ---

Sumitomo Electric Device Innovations 的 EGN26C105I2D 是一款射頻晶體管,頻率 2.6 GHz、功率 47.3 dBm、功率 (W) 53.7 W、飽和功率 49.5 至 50.3 dBm、功率增益 (Gp) 16 至 17 dB。標簽:法蘭。EGN26C105I2D 的更多詳細信息如下所示。

產品規格

產品詳情

零件號

EGN26C105I2D

制造商

住友電工設備創新

描述

2.6 GHz,增益 GaN on SiC HEMT

一般參數

晶體管類型

HEMT

技術

碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應用行業

無線基礎設施

申請類型

L波段

應用

基站,LTE

頻率

2.6GHz

力量

47.3 分貝

功率(W)

53.7 瓦

飽和功率

49.5 至 50.3 dBm

功率增益 (Gp)

16 至 17 分貝

電源電壓

50 伏

電壓 - 漏源 (Vdss)

50 伏

電壓 - 柵源 (Vgs)

-15 伏

排水效率

27% 到 32%

功耗 (Pdiss)

97.8 瓦

熱阻

2 至 2.3 度 C/W

包裝類型

法蘭式

RoHS

是的

貯存溫度

-65 至 175 攝氏度

筆記

正向柵極電流:102 mA,反向柵極電流:-3.9 mA

 

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