--- 產品參數 ---
- 頻率 900兆赫
- 力量 49.5 分貝
- 功率(W) 89.13 瓦
- 飽和功率 51.5 至 52.5 dBm
- 功率增益 (Gp) 17 至 18 分貝
--- 產品詳情 ---

Sumitomo Electric Device Innovations 的 EGNC160MK 是一款射頻晶體管,頻率為 900 MHz,功率 49.5 dBm,功率 (W) 89.13 W,飽和功率 51.5 至 52.5 dBm,功率增益 (Gp) 17 至 18 dB。標簽:法蘭。EGNC160MK 的更多細節可以在下面看到。
產品規格
產品詳情
零件號
EGNC160MK
制造商
住友電工設備創新
描述
900 MHz,增益 GaN on SiC HEMT
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應用行業
無線基礎設施
申請類型
L波段
應用
基站,LTE
頻率
900兆赫
力量
49.5 分貝
功率(W)
89.13 瓦
飽和功率
51.5 至 52.5 dBm
功率增益 (Gp)
17 至 18 分貝
電源電壓
50 伏
電壓 - 漏源 (Vdss)
50 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-15 伏
排水效率
30 至 35%
功耗 (Pdiss)
132 瓦
熱阻
1.4 到 1.6 度 C/W
包裝類型
法蘭式
RoHS
是的
貯存溫度
-65 至 175 攝氏度
筆記
正向柵極電流:153 mA,反向柵極電流:-5.8 mA
EMM5836V1B
SMM5854V1D
FMM5057VF
EMM5078ZV
EMM5077VU
FMM5056VF
EMM5074VU
SGM6906VU
SGC1011-300B-R
SGC8595-300B-R
SGM6901VU
SGC0910-300B-R
SGNH130M1H
SGK7185-20A
FSX017LG
FSX027WF
SGC8598-100A-R
SGC1112-100A-R
SGC1112-100A-R
SGK0910-30A-R
SGK0910-60A-R
FSX017WF
SGC0910-200A-R
SGNE070MK
SGNE030MK
SGNE045MK
SGNE090MK
FSU02LG
FSU01LG
SGK0910-120A-R
SGC8598-50A-R
SGNE010MK
EGN26C070MK
SGN26C050MK
SGN27C160I2D
SGN19C320I2D
EGN26C160I2D
SGNC320MK
EGN35C070I2D
SGN21C320I2D
EGN26C070I2D
SGN1214-220H-R
SGN27C210I2D
SGN2731-500H-R
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