--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率 12GHz
- 力量 17分貝
- 功率(W) 0 至 0.05 瓦
- 獲得 8.5 至 10 分貝
- 噪聲系數(shù) 1.2 至 1.6 分貝
--- 產(chǎn)品詳情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 FHX35X 是一款射頻晶體管,頻率為 12 GHz,功率為 17 dBm,功率(W)為 0 至 0.05 W,增益為 8.5 至 10 dB,噪聲系數(shù)為 1.2 至 1.6 dB。標(biāo)簽:表面貼裝。FHX35X 的更多細(xì)節(jié)可以在下面看到。

零件號(hào) | FHX35X |
---|---|
功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
特征 |
|
描述 | FHX35X 是一款高電子遷移率晶體管 (HEMT),適用于 2-18GHz 頻率范圍內(nèi)的通用、低噪聲和高增益放大器。該器件非常適合電信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪聲應(yīng)用。住友電工嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃可確保最高的可靠性和始終如一的性能。 |
噪聲系數(shù) NF Typ. (D b) | 1.2 |
---|---|
相關(guān)增益氣體典型值。(D b) | 10 |
漏極電壓 VDS (V) | 2 |
漏極電流 lDS (mA) | 10 |
頻率 f (GHz) | 12 |
應(yīng)用 | 低噪聲放大器 |
筆記 | Tc(op)=+25°C 常規(guī)芯片 |
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號(hào)
FHX35X
制造商
住友電工設(shè)備創(chuàng)新
描述
12 GHz、8.5 至 10 dB 增益 GaAs HEMT
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
砷化鎵
應(yīng)用行業(yè)
衛(wèi)星通信
頻率
12GHz
力量
17分貝
功率(W)
0 至 0.05 瓦
獲得
8.5 至 10 分貝
噪聲系數(shù)
1.2 至 1.6 分貝
電源電壓
2伏
輸入功率
-10 至 8 dBm
漏電流
15 至 85 毫安
熱阻
155 到 200 度 C/W
包裝類型
表面貼裝
RoHS
是的
貯存溫度
-65 至 175 攝氏度
筆記
柵源擊穿電壓:-0.3 V
FLM1314-3F
FLM1011-15F
FLM1011-4F
FLM1011-12F
FLM1213-8F
FLM0910-8F
FLM0910-25F
FLM0910-12F
FLM7785-12F
FLM8596-4F
FLM7185-6F
FLM7785-45F
ELM7785-35F
ELM7785-16F
FLM8596-8F
ELM7785-60F
FLM7785-6F
FLM7785-4F
FLM8596-15F
FLM7785-18F
FLM7785-8F
ELM7785-10F
FLM7185-12F
FLM7179-18F
FLM8596-12F
FLM6472-4F
FLM5972-4F
FLM6472-18F
ELM7179-16F
ELM7179-10F
FLM7179-4F
ELM6472-16F
FLM5972-8F
ELM6472-10F
FLM7179-6F
FLM6472-25F
FLM7179-12F
FLM6472-6F
FLM5972-12F
FLM7179-8F
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