--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率 12GHz
- 獲得 10 到 20 分貝
- 噪聲系數(shù) 0.55 至 0.65 分貝
- 電源電壓 2伏
- 漏電流 10 至 60 毫安
--- 產(chǎn)品詳情 ---
Sumitomo Electric Device Innovations 的 FHX45X 是一款射頻晶體管,頻率為 12 GHz,增益為 10 至 20 dB,噪聲系數(shù)為 0.55 至 0.65 dB,電源電壓為 2 V,漏極電流為 10 至 60 mA。標簽: 芯片。FHX45X 的更多細節(jié)可以在下面看到。

零件號 | FHX45X |
---|---|
功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
特征 |
|
描述 | FHX45X 是一款超高電子遷移率晶體管 (SuperHEMTTM),適用于 2-18GHz 頻率范圍內(nèi)的通用、超低噪聲和高增益放大器。該器件非常適合電信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪聲應(yīng)用。住友電工嚴格的質(zhì)量保證計劃可確保最高的可靠性和始終如一的性能。 |
噪聲系數(shù) NF Typ. (D b) | 0.55 |
---|---|
相關(guān)增益氣體典型值。(D b) | 12 |
漏極電壓 VDS (V) | 2 |
漏極電流 lDS (mA) | 10 |
頻率 f (GHz) | 12 |
應(yīng)用 | 低噪聲放大器 |
筆記 | Tc(op)=+25°C 常規(guī)芯片 |
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號
FHX45X
制造商
住友電工設(shè)備創(chuàng)新
描述
12 GHz、10 至 20 dB 增益 GaAs HEMT
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
砷化鎵
應(yīng)用行業(yè)
衛(wèi)星通信
頻率
12GHz
獲得
10 到 20 分貝
噪聲系數(shù)
0.55 至 0.65 分貝
電源電壓
2伏
漏電流
10 至 60 毫安
熱阻
155 到 200 度 C/W
包裝類型
芯片
RoHS
是的
貯存溫度
-65 至 175 攝氏度
筆記
柵源擊穿電壓:-0.3 V
SGK5867-60A
SGK6472-30A
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