Sumitomo Electric Device Innovations 的 FHX06X 是一款射頻晶體管，頻率為 12 GHz，功率為 10 dBm，功率（W）為 0 至 0.01 W，增益為 9.5 至 10.5 dB，噪聲系數為 1.1 至 1.35 dB。標簽： 芯片。FHX06X 的更多細節可以在下面看到。
| 零件號 | FHX06X |
|---|---|
| 功能 | GaAs FET 和 HEMT 芯片 |
| 特征 |
|
| 描述 | FHX04X、FHX05X、FHX06X 是高電子遷移率晶體管 (HEMT)，適用于 2-18GHz 頻率范圍內的通用、低噪聲和高增益放大器。這些器件非常適合電信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪聲應用。住友電工嚴格的質量保證計劃可確保最高的可靠性和始終如一的性能。 |
| 噪聲系數 NF Typ. （D b） | 1.1 |
|---|---|
| 相關增益氣體典型值。（D b） | 10.5 |
| 漏極電壓 VDS (V) | 2 |
| 漏極電流 lDS (mA) | 10 |
| 頻率 f (GHz) | 12 |
| 應用 | 低噪聲放大器 |
| 筆記 | Tc(op)=+25°C 常規芯片 |
產品規格
產品詳情
零件號
FHX06X
制造商
住友電工
描述
12 GHz、9.5 至 10.5 dB 增益 GaAs HEMT
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
砷化鎵
應用行業
衛星通信
頻率
12GHz
力量
10分貝
功率(W)
0 至 0.01 瓦
獲得
9.5 至 10.5 分貝
噪聲系數
1.1 至 1.35 分貝
電源電壓
2伏
輸入功率
-10 至 5 dBm
漏電流
15 至 60 毫安
熱阻
220 至 300 度 C/W
包裝類型
芯片
RoHS
是的
貯存溫度
-65 至 175 攝氏度
筆記
柵源擊穿電壓：-0.3 V
EMM5836V1B
SMM5854V1D
FMM5057VF
EMM5078ZV
EMM5077VU
FMM5056VF
EMM5074VU
SGM6906VU
SGC1011-300B-R
SGC8595-300B-R
SGM6901VU
SGC0910-300B-R
SGNH130M1H
SGK7185-20A
FSX017LG
FSX027WF
SGC8598-100A-R
SGC1112-100A-R
SGC1112-100A-R
SGK0910-30A-R
SGK0910-60A-R
FSX017WF
SGC0910-200A-R
SGNE070MK
SGNE030MK
SGNE045MK
SGNE090MK
FSU02LG
FSU01LG
SGK0910-120A-R
SGC8598-50A-R
SGNE010MK
EGN26C070MK
SGN26C050MK
SGN27C160I2D
SGN19C320I2D
EGN26C160I2D
SGNC320MK
EGN35C070I2D
SGN21C320I2D
EGN26C070I2D
SGN1214-220H-R
SGN27C210I2D
SGN2731-500H-R
