UMS 的 CHKA011aSXA 是一款 GaN 晶體管，在脈沖和 CW 模式下工作頻率高達 1.5 GHz。它提供 150 瓦的飽和輸出功率（25μs，10% 占空比），效率為 75%。它采用法蘭金屬陶瓷封裝，非常適合雷達和電信應用。該產品采用 0.5μm 柵極長度 GaN HEMT 工藝制造，需要外部匹配網絡。
新型 GaN 寬帶能力晶體管
CHKA011aSXA 是一款 130W 無與倫比的封裝氮化鎵晶體管。
這種采用法蘭金屬陶瓷功率封裝的晶體管可以工作在高達 1.5GHz 的頻率下，具有 75% 的非常高的 PAE 和 150W 的飽和輸出功率。它可用于脈沖或連續波模式。
CHKA011aSXA 專為多用途應用而開發，例如雷達和電信。
該產品是在內部 0.5μm 柵極長度 GaN HEMT 工藝上開發的。它需要一個外部匹配網絡。
主要特點：
- 頻率范圍：DC - 1.5GHz
- 脈沖和連續波操作模式
- ? 大功率：130W
- ? 高效率：75% PAE
- ? Psat：150W
- ? 直流偏置：Vd=50V @ Id=640mA
- ? 法蘭金屬陶瓷封裝
- VDS = 50V，ID_Q=640mA，引腳=32dBm
- 脈沖模式（25μs，10%）
產品規格
產品詳情
零件號
CHKA011aSXA
制造商
聯合單片半導體
描述
從 DC 到 1.5 GHz 的 150 W GaN 晶體管
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應用行業
雷達，蜂窩
連續波/脈沖
連續波，脈沖
頻率
直流至 1.5 GHz
飽和功率
150W（典型值），130W（最小值）
效率
75 %
電源電壓
50 伏
漏電流
640毫安
包裝類型
法蘭式
包裹
陶瓷制品
CHA4253a98F
CHA8352-99F
CHA7618-99F
CHA3024-FDB
CHA4350-QDG
CHA2362-98F
CHA3409-98F
CHA7060-QWA
CHA8611-99F
CHA2595-QDG
CHA8054-99F
CHA6710-FAB
CHA6653-98F
CHZ8012-QJA
CHA6710-99F
CHA4861-QGG
CHA3080-98F
CHA3090-98F
CHA4102-QEG
CHA6194-QXG
CHA3398-QDG
CHA3395-QDG
CHA4253aQQG
CHA3397-QDG
CHA5050-99F
CHA6652-QXG
CHA3396-QDG
CHA3660-QQG
CHA6653-QXG
CHA6550-QXG
CHA5350-99F
CHA4250-QDG
CHA5266-QDG
CHA5250-QDG
CHA3565-QAG
CHA5266-FAA
CHA5266-99F
CHA1008-99F
CHA2080-98F
CHA2069-FAA
CHA2441-QAG
CHA2110-98F
CHA2110-QDG
CHA1010-99F
