United Monolithic Semiconductors 的 CHA8054-99F 是一款 2 級 X 波段功率放大器，工作頻率為 7.7 至 8.6 GHz。它提供高達 23 W 的輸出功率，具有 27 dB 的線性增益和 50% 的功率附加效率 (PAE)。該電路采用 GaN HEMT 工藝制造，柵極長度為 0.25μm，通過襯底通孔、空氣橋和電子束柵極光刻。它以芯片（也可作為裸片）的形式提供，尺寸為 5.14 x 4.22 x 0.1 mm，適用于從太空、軍事到商業通信系統的廣泛應用。
CHA8054-99F，最先進的空間兼容 GaN HPA
CHA8054-99F 是一款新型 GaN X 波段高功率放大器，工作頻率在 7.7 至 8.6GHz 之間。
該電路針對空間應用進行了優化，旨在獲得 50% 的出色 PAE 和 23W @28V 漏極電源電壓的典型高飽和輸出功率。它具有典型的 27dB 線性增益。
CHA8054-99F 是在 UMS 空間評估的 0.25μm GaN 專有技術上實現的。
主要特點：
- 頻率范圍：7.7-8.6GHz
- 高輸出功率：23W
- 高 PAE：50%
- 線性增益：27dB
- 直流偏置：Vd=28Volt @Idq=0.9A
- 芯片尺寸 5.14x4.22x0.1mm
- 提供裸片
產品規格
產品詳情
零件號
CHA8054-99F
制造商
聯合單片半導體
描述
7.7 至 8.6 GHz 的 23 W X 波段功率放大器
一般參數
類型
功率放大器
配置
IC/MMIC/SMT, 模具
行業應用
太空、軍事、商業
頻率
7.7 至 8.6 GHz
獲得
27分貝
輸出功率
43.01 至 43.62 dBm
輸出功率
20 至 23 瓦
輸入功率
24分貝
輸入功率
0.25 瓦
PAE
50 %
脈沖/CW
CW/脈沖
子類別
氮化鎵放大器
輸入回波損耗
12分貝
輸出回波損耗
10分貝
電源電壓
28 伏
目前的消費
2個
晶體管技術
氮化鎵 HEMT
包裝類型
表面貼裝
方面
5.15 x 4.22 x 0.1 毫米
工作溫度
-40 至 100 攝氏度
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
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