--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率 6 至 18 GHz
- 插入損耗 1.3分貝
- 隔離 34分貝
- P1dB 42分貝
- P1dB 15.84 瓦
--- 產(chǎn)品詳情 ---
United Monolithic Semiconductors 的 CHS8618-99F 是一款射頻開關,頻率為 6 至 18 GHz,插入損耗 1.3 dB,隔離度 34 dB,P1dB 42 dBm,P1dB 15.84 W。標簽:芯片,固態(tài)。有關 CHS8618-99F 的更多詳細信息,請參見下文。
新開關:CHS8618-99F

CHS8618-99F 是一款 GaN 反射 SPDT 開關。
它展示了:
- 高輸入P-1dB:>42dBm
- 低插入損耗:1.3dB
- 開關速度:30ns(測試到 Pin 40dBm)
本產(chǎn)品具有-25V/0V控制電壓。

CHS8618-99F 設計用于從國防到雷達和商業(yè)通信系統(tǒng)的廣泛應用。
它采用 UMS 內部 GaN 0.25μm pHEMT 工藝設計。
概括:
- 頻率范圍:6-18GHz
- IP1dB:>42dBm
- 站內插入損耗:1.3dB
- 引腳最大值:42.7dBm
- 開關速度:30ns
- 控制電壓:-25V/0V
- 芯片尺寸:1.65×2.18×0.1mm
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號
CHS8618-99F
制造商
聯(lián)合單片半導體
描述
GaN/SiC pHEMT SPDT 開關,6 至 18 GHz
一般參數(shù)
類型
固體狀態(tài)
配置
單刀雙擲
終止
反光的
應用行業(yè)
無線通信
頻率
6 至 18 GHz
插入損耗
1.3分貝
隔離
34分貝
P1dB
42分貝
P1dB
15.84 瓦
力量
42分貝(IP1分貝)
力量
15.84 瓦
電源電壓
-25 至 0 V
開關速度
30 納秒
包裝類型
死
方面
1.65 x 2.18 x 0.1 毫米
技術
pHEMT
工作溫度
-40 至 85 攝氏度
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
年級
商業(yè)、軍事
RoHS
是的
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