CHZ9012-QFA
CHZ9012-QFA 是一款基于 GaN 功率棒和 GaAs 輸入輸出匹配電路的 S 波段準(zhǔn) MMIC 高功率放大器。
它采用 UMS 0.25μm GaN on SiC 和 GaAs MMIC 大功率 UMS 無源技術(shù)制造。
CHZ9012-QFA 在 50 歐姆上完全匹配。它可以在以下幾種操作條件下使用，以滿足系統(tǒng)要求。該產(chǎn)品專用于廣泛的應(yīng)用，從軍用雷達(dá)系統(tǒng)到商業(yè)雷達(dá)系統(tǒng)。
CHZ9012-QFA 采用低成本塑料封裝，提供低寄生和低熱阻。本產(chǎn)品采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 SMD 封裝。
United Monolithic Semiconductors 的 CHZ9012-QFA 是一款射頻晶體管，頻率為 2.7 至 3.4 GHz，飽和功率為 65 W，占空比為 10 至 30%，增益為 16 dB，功率附加效率為 50 至 55%。有關(guān) CHZ9012-QFA 的更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見下文。
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品詳情
零件號(hào)
CHZ9012-QFA
制造商
聯(lián)合單片半導(dǎo)體
描述
65 W，GaN HEMT 晶體管，頻率為 2.7 至 3.4 GHz
一般參數(shù)
晶體管類型
HEMT
技術(shù)
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應(yīng)用行業(yè)
蜂窩、雷達(dá)、軍事、商業(yè)
應(yīng)用
通用，5G
連續(xù)波/脈沖
連續(xù)波，脈沖
頻率
2.7 至 3.4 GHz
飽和功率
65 瓦
脈沖寬度
3 毫秒
占空比
10% 到 30%
獲得
16分貝
功率附加效率
50 至 55%
電源電壓
50 伏
漏電流
4000毫安
結(jié)溫 (Tj)
230攝氏度
方面
8 x 8 毫米
RoHS
是的
年級(jí)
商業(yè)的
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
CHA2098b99F
CHA6105-99F
CHA4107-QDG
CHA3656-QAG
CHA2157-99F
CHA5050-QDG
CHA2063a99F
CHA2190-99F
CHA3666-SNF
CHA2066-99F
CHA3666-QAG
CHA7114-99F
CHA2091-99F
CHA8100-99F
CHA2097a99F
CHA2069-QDG
CHA3688aQDG
CHA2193-99F
CHA4107-99F
CHA2292-99F
CHA2266-99F
CHA7115-99F
CHA2090-99F
CHA2293-99F
CHA2066-QAG
CHA2394-99F
CHA4105-99F
CHA2094b99F
CHA3801-QDG
CHA5115-99F
CHA3063-99F
CHA2092b99F
CHA3801-99F
CHA3666-99F
CHA3665-QAG
CHP3015-QDG
CHP4010-99F
CHP1102-QGG
CHR1080a98F
CHC6053-QQA
CHU2277-99F
CHX1162-QDG
CHX1191-98F
CHX2090-QDG
