United Monolithic Semiconductors 的 CHZ015A-QEG 是一款射頻晶體管，頻率為 1.2 至 1.4 GHz，功率 41.76 dBm，功率 (W) 15 W，占空比 0.1，小信號增益 18 至 19.5 dB。標簽：表面貼裝。CHZ015A-QEG 的更多詳細信息見下文。
CHZ015A-QEG 采用 SMD 封裝的 GaN 準 MMIC 器件
CHZ015A-QEG 是一款 GaN 15W L 波段 (1.2-1.4GHz) 輸入匹配封裝晶體管。它基于準MMIC技術。
該電路以脈沖模式工作，輸出功率為 18W，相關增益超過 13dB，PAE 高達 55%。
它為 L 波段中的各種射頻功率應用提供寬帶解決方案。該電路特別適用于脈沖雷達應用。
CHZ015A-QEG 采用 0.5μm 柵極長度 GaN HEMT 工藝制造。它采用低成本 SMD 封裝 24L-QFN 4×5。
主要特點：
| 頻率范圍： | 1.2-1.4GHz |
| 小信號增益： | 19.5分貝 |
| 力量： | >15W |
| 相關收益： | >13dB |
| PAE： | 高達 55% |
| 飽和漏極電流： | 650毫安 |
| 直流偏置： | VDS 45V @ ID_Q 100mA |
產品規格
產品詳情
零件號
CHZ015A-QEG
制造商
聯合單片半導體
描述
1.2 至 1.4 GHz 低噪聲 GaN on SiC HEMT
一般參數
晶體管類型
HEMT
技術
碳化硅上氮化鎵、氮化鎵
應用行業
雷達、無線基礎設施
應用
L波段
連續波/脈沖
脈沖，連續波
頻率
1.2 至 1.4 GHz
力量
41.76 分貝
功率(W)
15 瓦
脈沖寬度
1.5毫秒
占空比
0.1
小信號增益
18 至 19.5 分貝
電源電壓
45 伏
漏柵電壓
200 伏
擊穿電壓 - 漏源
20 至 50 伏
電壓 - 柵源 (Vgs)
-1.9 伏
漏電流
0.65 安
靜態漏極電流
0.1 至 0.35 A
柵極漏電流 (Ig)
-1 毫安
結溫 (Tj)
200攝氏度
熱阻
5.5 度 C/W
包裝類型
表面貼裝
RoHS
是的
工作溫度
-40 至 85 攝氏度
貯存溫度
-55 至 150 攝氏度
筆記
柵極電流正向模式：0 至 8 mA，Pich Off 電壓：-3 至 -1 V，飽和漏極電流：2.7 A
CHR3894-98F
CHR3764-QEG
CHR3694-QDG
CHR2293-99F
CHR3861-QEG
CHR3352-QEG
CHR3362-QEG
CHR3894-QEG
CHR2291-99F
CHR3693-99F
CHR3364-QEG
CHR3663-QEG
CHM2179b98F
CHM1291-99F
CHM2378a99F
CHM1294-99F
CHM1290-99F
CHR2294-99F
CHR2295-99F
CHR3664-QEG
CHR2292-99F
CHR2411-QDG
CHS8618-99F
CHS7012-99F
CHS5104-99F
CHS2412-QDG
CHS5104-QAG
CHS2411-QDG
CHS5100-99F
CHS5105-QAG
CHK8101-SYC
CHK8101a99F
CHK015AaQIA
CHZ9012-QFA
CHZ180AaSEB
CHK8013-99F
CHKA011aSXA
CHK8015-99F
CHZ015A-QEG
EC2612-99F
CHK015A-QIA
CHK9014-99F
CHZ180A-SEB
CHK9013-99F
