### 低相噪介質諧振振蕩器（DRO）概述
低相噪介質諧振振蕩器（DRO）是一種高性能的微波振蕩器，廣泛應用于通信、雷達、電子對抗等領域。它利用介質諧振器的高Q值特性，實現低相位噪聲和高頻率穩定度。
#### **技術規格**
- **頻率范圍**：1 GHz 至 42 GHz。
- **相位噪聲**：
- HMC-C200 在 10 kHz 偏置時相位噪聲為 -122 dBc/Hz。
- 某些高端 DRO 在 45 GHz 頻率下，偏移頻率為 1 kHz 時相位噪聲可達 -95 dBc/Hz。
- **輸出功率**：13 dBm 至 25 dBm。
- **調諧方式**：電調諧（通過變容管實現）。
- **封裝形式**：貼片、同軸。
- **工作溫度**：-55°C 至 +125°C。
#### **應用場景**
- **通信系統**：用于毫米波通信、5G 及未來 6G 系統中的本地振蕩器（LO）。
- **雷達系統**：在雷達發射機和接收機中提供高穩定度的信號源。
- **電子對抗**：用于電子戰系統中的信號源，確保信號的高純度和低噪聲。
- **測試與測量**：在頻譜分析儀、信號發生器等設備中提供高精度的參考信號。
#### **產品選型**
以下是一些常見的低相噪 DRO 型號及其規格：
| **型號** | **頻率范圍** | **輸出功率** | **工作電壓** |
|:--------|:-------------|:-------------|:-------------|
| RDRO-A-5.0-7.9GHz | 5.0-7.9 GHz | 14 dBm | 6-18 V |
| RDRO-A-8.0-10.7GHz | 8.0-10.7 GHz | 15 dBm | 6-18 V |
| RDRO-B-1.0-43.42GHz | 1.0-43.42 GHz | 12-15 dBm | 5-16 V |
| RDRO-18-40-13d-15V-Family-s12 | 18.0-40.0 GHz | 13 dBm | 15 V |
#### **設計與優化**
- **材料選擇**：高Q值的介質材料（如高電阻率硅）是降低相位噪聲的關鍵。
- **溫度補償**：采用溫補電路或恒溫槽等方法，提高振蕩器的溫度穩定性。
- **電路設計**：優化微帶線和基片的設計，減少損耗，提高諧振器的無載Q值。
