JP503AS低剖面、高性能的 3dB 混合耦合器
型號:
JP503AS
JP503AS 是一款由 TTM Technologies(原 Anaren)生產的低剖面、高性能的 3dB 混合耦合器,采用表面貼裝封裝,適用于 2.3 GHz - 2.7 GHz 頻段的射頻應用。
### 產品特點
- **頻率范圍**:2.3 GHz - 2.7 GHz。
- **插入損耗**:最大 0.3 dB。
- **隔離度**:最小 20 dB。
- **功率容量**:25 W。
- **工作溫度**:-55°C 至 +85°C。
- **封裝類型**:4-SMD,無引腳。
- **相位平衡**:±3°。
- **幅度平衡**:±0.25 dB。
- **VSWR**:最大 1.20:1。
### 應用領域
- **平衡放大器**:適用于高功率設計。
- **可變移相器和衰減器**:用于信號調節。
- **低噪聲放大器**:適用于需要低插入損耗和高隔離度的應用。
- **信號分配**:滿足無線工業對更小印刷電路板和高性能的要求。