1M803S低剖面、微型 3dB 混合耦合器
型號:
1M803S
1M803S 是一款由 TTM Technologies(原 Anaren)生產的低剖面、微型 3dB 混合耦合器,采用表面貼裝封裝,適用于 4.8 GHz - 6.0 GHz 頻段的射頻應用。
### 產品特點
- **頻率范圍**:4.8 GHz - 6.0 GHz。
- **插入損耗**:最大 0.25 dB。
- **隔離度**:最小 20 dB。
- **功率容量**:20 W。
- **工作溫度**:-55°C 至 +85°C。
- **封裝類型**:4-SMD,無引腳。
- **相位平衡**:±3°。
- **幅度平衡**:±0.3 dB。
- **VSWR**:最大 1.21:1。
### 應用領域
- **平衡放大器**:適用于高功率設計。
- **信號分配**:適用于無線通信系統。
- **射頻系統**:適用于需要低插入損耗和高隔離度的應用。