NPT2010B 是一款由 MACOM 生產的寬帶 GaN（氮化鎵）射頻功率晶體管，專為高頻、高功率應用而設計。以下是其詳細的技術參數和應用場景：
### 技術參數
- **工作頻率范圍**：DC 至 2.2 GHz。
- **輸出功率**：
- 在 2.2 GHz 下，連續波（CW）輸出功率可達 100 W（50 dBm）。
- **增益**：在 2.2 GHz 下，增益為 17 dB。
- **效率**：
- 在 2.2 GHz 下，漏極效率大于 60%。
- 功率附加效率（PAE）為 50%。
- **工作電壓**：48 V。
- **封裝類型**：高可靠性陶瓷鍍金法蘭封裝。
- **溫度范圍**：最高結溫可達 200°C。
- **駐波比**：在所有相位和設備無損壞的情況下，最高可達 10:1。
### 特性
- **寬帶優化**：針對 DC 至 2.2 GHz 的寬帶操作進行優化。
- **高效率**：在 2.2 GHz 下，漏極效率大于 60%，功率附加效率（PAE）為 50%。
- **高可靠性**：在所有相位和設備無損壞的情況下，最高可達 10:1 的電壓駐波比失配。
- **專有技術**：采用 SIGANTIC? NRF1 工藝，這是一種專有的 GaN-on-Silicon 技術。
### 應用場景
- **國防通信**：適用于需要高功率和高效率的通信系統。
- **陸地移動無線電**：適用于需要高功率輸出的移動通信系統。
- **航空電子設備**：用于航空電子系統中的高頻通信。
- **無線基礎設施**：用于無線基站等設備。
- **ISM 應用**：適用于工業、科學和醫療設備。
- **VHF/UHF/L 波段雷達**：用于雷達系統中的高功率發射。
