NPT1012B 是一款由 MACOM 生產的 GaN（氮化鎵）HEMT 射頻功率晶體管，專為高頻、高功率應用而設計。以下是其詳細的技術參數和應用場景：
### 技術參數
- **頻率范圍**：DC 至 4 GHz。
- **輸出功率**：
- 在 3000 MHz 下，連續波（CW）輸出功率可達 25 W（43.98 dBm）。
- 在 1000 MHz 至 2500 MHz 頻段內，P1dB 輸出功率為 16-20 W。
- **增益**：在 3000 MHz 下，增益為 13 dB。
- **效率**：
- 在 3000 MHz 下，漏極效率大于 45%。
- 在 1000 MHz 至 2500 MHz 頻段內，漏極效率大于 50%。
- **工作電壓**：28 V。
- **封裝類型**：陶瓷螺紋沉放。
- **熱阻**：4.0 °C/W。
- **最大結溫**：200°C。
- **駐波比**：在所有相位和設備無損壞的情況下，最高可達 10:1。
### 應用場景
- **國防通信**：適用于需要高功率和高效率的通信系統。
- **陸地移動無線電**：適用于需要高功率輸出的移動通信系統。
- **無線基礎設施**：用于無線基站等設備。
- **測試與測量**：用于高性能的測試設備。
- **ISM 應用**：適用于工業、科學和醫療設備。
### 特性
- **寬帶優化**：針對 DC 至 4000 MHz 的寬帶操作進行優化。
- **高效率**：在 3000 MHz 下，漏極效率為 45%，功率附加效率（PAE）為 53%。
- **高可靠性**：在所有相位和設備無損壞的情況下，最高可達 10:1 的電壓駐波比失配。
- **專有技術**：采用 SIGANTIC? NRF1 工藝，這是一種專有的 GaN-on-Silicon 技術。
