特性

• 64 千比特鐵電隨機存取存儲器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8
  • 高達 100 萬億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性
  • 151 年的數據保存期限（詳見 “數據保存期限和耐久性表”）
  • NoDelay? 寫入技術
  • 先進的高可靠性鐵電工藝
• 非常快速的串行外設接口（SPI）
  • 最高 20 兆赫茲頻率
  • 可直接硬件替換串行閃存和電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）
  • 支持 SPI 模式 0（0, 0）和模式 3（1, 1）
• 復雜的寫保護方案
  • 通過寫保護（\(\overline{WP}\)）引腳進行硬件保護
  • 使用寫禁止指令進行軟件保護
  • 可對 1/4、1/2 或整個陣列進行軟件塊保護
• 低功耗
  • 1 兆赫茲時，工作電流為 200 微安
  • 典型待機電流為 3 微安
• 低電壓工作：電源電壓\(V_{DD}\)為 2.7V 至 3.65V
• 工業溫度范圍：-40°C 至 + 85°C
• 封裝形式
  • 8 引腳小外形集成電路（SOIC）封裝
  • 8 引腳薄型無引腳雙列扁平（DFN）封裝

功能描述

FM25CL64B 是一款 64 千比特的非易失性存儲器，采用先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取存儲器（F - RAM）屬于非易失性存儲器，其讀寫操作類似于隨機存取存儲器（RAM）。它可實現長達 151 年的數據可靠保存，同時避免了串行閃存、電可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）以及其他非易失性存儲器所帶來的復雜性、額外開銷和系統級可靠性問題。

與串行閃存和 EEPROM 不同，FM25CL64B 以總線速度執行寫入操作，不會產生寫入延遲。每字節數據成功傳輸后，會立即寫入存儲陣列。下一個總線周期可直接開始，無需進行數據輪詢。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產品具有極高的寫入耐久性，能夠支持\(10^{14}\)次讀 / 寫周期，寫入周期數是 EEPROM 的 1 億倍。

這些特性使 FM25CL64B 非常適合用于需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲應用場景。比如數據采集，寫入周期數量可能至關重要；還有要求嚴苛的工業控制領域，串行閃存或 EEPROM 較長的寫入時間可能會導致數據丟失 。

FM25CL64B 為用戶提供了顯著優于串行 EEPROM 的優勢，可直接進行硬件替換。該產品使用高速 SPI 總線，增強了 F - RAM 技術的高速寫入能力。其工作規格適用于 - 40°C 至 + 85°C 的工業溫度范圍。