典型應用
- 工業電機驅動
優勢
- 先進的工藝技術
- 超低導通電阻
- 動態電壓變化率（dv/dt）額定值
- 175℃工作溫度
- 快速開關
- 最高允許結溫（Tjmax）內可重復承受雪崩擊穿
這款 HEXFET? 功率 MOSFET（金屬 - 氧化物半導體場效應晶體管）的條形平面設計，采用了最新的加工技術，以實現每單位硅面積的極低導通電阻。該 HEXFET 功率 MOSFET 的其他特性包括 175℃的結溫工作范圍、快速的開關速度以及更高的重復雪崩擊穿額定值。這些優勢結合在一起，使該設計成為一種極為高效可靠的器件，適用于廣泛的應用場景。
電氣特性（除非另有說明，均在結溫\(T_J\) = 25℃ 時測定）
| 參數 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 條件 |
|---|---|---|---|---|---|
\(V_{(BR)DSS}\) | 漏源擊穿電壓 | 75 | - | V | \(V_{GS}\) = 0V，\(I_D\) = 250μA |
\(\Delta V_{(BR)DSS}/\Delta T\) | 擊穿電壓溫度系數 | 0.09 | - | V/℃ | 參考溫度 25℃，\(I_D\) = 1mA |
\(R_{DS(on)}\) | 靜態漏源導通電阻 | - | 0.0078 | Ω | \(V_{GS}\) = 10V，\(I_D\) = 78A |
\(V_{GS(th)}\) | 柵極閾值電壓 | 2.0 | 4.0 | V | \(V_{DS}\) = 10V，\(I_D\) = 250μA |
\(g_{fs}\) | 正向跨導 | 74 | - | S | \(V_{DS}\) = 25V，\(I_D\) = 78A |
\(I_{DSS}\) | 漏源漏電流 | - | 20 | μA | \(V_{DS}\) = 75V，\(V_{GS}\) = 0V |
| 250 | \(V_{DS}\) = 60V，\(V_{GS}\) = 0V，\(T_J\) = 150℃ | ||||
\(I_{GSS}\) | 柵源正向漏電流 | - | 200 | nA | \(V_{GS}\) = 20V |
| 柵源反向漏電流 | - | 250 | \(V_{GS}\) = -20V | ||
\(Q_{g}\) | 總柵極電荷 | 160 | 200 | nC | \(I_D\) = 78A |
\(Q_{gs}\) | 柵源電荷 | 35 | 52 | \(V_{DS}\) = 60V | |
\(Q_{gd}\) | 柵漏（米勒）電荷 | 54 | 81 | \(V_{DS}\) = 10V | |
\(t_{d(on)}\) | 導通延遲時間 | 11 | - | ns | \(V_{DD}\) = 38V③，\(I_D\) = 78A⑥ |
\(t_r\) | 上升時間 | 150 | - | \(R_D\) = 2.5Ω | |
\(t_{d(off)}\) | 關斷延遲時間 | 150 | - | \(V_{GS}\) = 10V③ | |
\(t_f\) | 下降時間 | 140 | - | ||
\(L_D\) | 內部漏感 | - | 4.5 | nH | 帶輕載（6mm，0.25in.），從封裝到芯片觸點，源極接地 |
\(L_S\) | 內部源感 | - | 7.5 | ||
\(C_{iss}\) | 輸入電容 | - | 5600 | pF | \(V_{DS}\) = 0V |
\(C_{oss}\) | 輸出電容 | - | 890 | \(V_{DS}\) = 25V | |
\(C_{rss}\) | 反向傳輸電容 | - | 190 | f = 1.0KHz，見圖 5 | |
\(C_{oss}\) | 輸出電容 | - | 5800 | \(V_{GS}\) = 0V，\(V_{DS}\) = 1.0V，f = 1.0KHz | |
\(C_{oss eff.}\) | 有效輸出電容 | 560 | - | \(V_{GS}\) = 0V，\(V_{DS}\) = 60V | |
| 1100 | \(V_{GS}\) = 0V，\(V_{DS}\) = 0V 到 60V |
源漏額定值和特性
| 參數 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 條件 |
|---|---|---|---|---|---|
\(I_S\) | 連續源極電流 | - | 130⑥ | A | MOSFET 符號表示，含內置反向二極管的整體電流，n 溝道結 |
\(I_{SM}\) | 脈沖源極電流 | - | 520 | ||
\(V_{SD}\) | （體二極管）二極管正向電壓 | - | 1.3 | V | \(T_J\) = 25℃，\(I_S\) = 78A，\(V_{GS}\) = 0V④ |
\(t_{rr}\) | 反向恢復時間 | 110 | 170 | ns | \(dI/dt\) = 100A/μs④ |
\(Q_{rr}\) | 反向恢復電荷 | 390 | 590 | nC | |
\(t_{on}\) | 正向導通時間 | - | - | 本征導通時間可忽略（導通主要由\(L_S\) |
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