MICRON/美光 MT41K256M16TW-107 ITP BGA96儲存器芯片
型號:
MT41K256M16TW-107 ITP
特點
DDR3L SDRAM(1.35V)是
DDR3(1.5V)SDRAM。請參閱DDR3(1.5 V)SDRAM
磨合時(模具版本:E)數(shù)據(jù)表規(guī)格
1.5V兼容模式。
特征
?VDD=VDDQ=1.35V(1.283–1.45V)
?向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V–支持DDR3L設(shè)備向后通信
適用于1.5V應(yīng)用
?差分雙向數(shù)據(jù)選通
?8n位預(yù)取架構(gòu)
?差分時鐘輸入(CK、CK#)
?8家內(nèi)部銀行
?標稱和動態(tài)管芯端接(ODT)
用于數(shù)據(jù)、選通和屏蔽信號
?可編程CAS(讀取)延遲(CL)
?可編程發(fā)布CAS附加延遲(AL)
?可編程CAS(寫入)延遲(CWL)
?固定爆破長度(BL)為8,爆破劈裂(BC)為4
(通過模式寄存器組[MRS])
?可選的BC4或BL8飛行模式(OTF)
?自刷新模式
?105°C–64ms的TC,85°C–32ms的8192次循環(huán)刷新,>85°C至95°C的8192次循環(huán)刷新–16ms,>95°C至105°C的819次循環(huán)刷新