--- 產品參數 ---
- 工作溫度 -40℃~+85℃
--- 產品詳情 ---
HMC8412是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器,工作頻率范圍為0.4 GHz至11 GHz。
它提供15.5 dB典型增益、1.4 dB典型噪聲系數和≤33 dBm典型輸出3階交調點功率(OIP3),采用5 V電源電壓時功耗僅為60 mA。其飽和輸出功率(PSAT)≤ 20.5 dBm(典型值),因此該低噪聲放大器(LNA)可用作ADI公司眾多平衡式同相和正交(I/Q)或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅動器。
此外還具有內部匹配50 Ω的輸入和輸出,非常適合基于表貼技術(SMT)的高容量微波無線電應用。
HMC8412采用符合RoHS標準的2 mm × 2 mm、6引腳LFCSP封裝。
特性
低噪聲系數:1.4 dB(典型值)
單正電源(自偏置)
高增益:≤15.5 dB(典型值)
高OIP3:≤33 dBm(典型值)
符合RoHS標準的2 mm x 2 mm、6引腳LFCSP封裝
應用
測試儀器儀表
電信
雷達和通信
電子戰
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