--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 工作溫度 -40℃ ~ 85℃
- 耗散功率 878 mW
- 頻率 700MHz ~ 1GHz
--- 產(chǎn)品詳情 ---
HMC373LP3 / HMC373LP3E均為多功能、高動態(tài)范圍GaAs MMIC低噪聲放大器,在IC上集成低損耗LNA旁路模式。該放大器非常適合GSM和CDMA蜂窩基站前端接收器,工作頻率范圍為700至1000 MHz,在+5V單電源時(90 mA)提供0.9 dB的噪聲系數(shù)、14 dB的增益和+35 dBm的輸出IP3。輸入和輸出回波損耗分別為28和12 dB,LNA僅需四個外部元件,即可優(yōu)化RF輸入匹配、RF接地和直流偏置。通過使單一控制線路開路或短路,LNA可切換至2.0 dB的低損耗旁路模式,功耗降至10 μA。對于要求改善噪聲系數(shù)的應用,請參見HMC668LP3(E)。
特性
噪聲系數(shù):0.9 dB
輸出IP3:+35 dBm
增益:14 dB
低損耗LNA旁路路徑
單電源:+5V (90 mA)
50 Ω匹配輸出
應用
GSM、GPRS和EDGE
CDMA和W-CDMA
專用陸地移動射頻
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