HMC8411LP2FE 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器，工作范圍為 0.01 GHz 至 10 GHz。

HMC8411LP2FE 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪聲指數(shù)和 34 dBm 的典型輸出三階交調(diào)點 (OIP3)，只需要 55 mA 電流，5 V 電源電壓。19.5 dBm 的典型飽和輸出功率 (PSAT) 可以使低噪聲放大器 (LNA) 用作 ADI公司眾多平衡式同相/正交 (I/Q) 或鏡像抑制混頻器的本地振蕩器 (LO) 驅(qū)動器。

HMC8411LP2FE 還具有可在內(nèi)部匹配至 50 ? 的輸入和輸出，使得該器件非常適合基于表面貼裝技術(shù) (SMT) 的高容量微波無線電應(yīng)用。

HMC8411LP2FE 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引腳 LFCSP 封裝。

多功能引腳名稱只能供其相關(guān)功能引用。

特性

低噪聲系數(shù)：1.7 dB（典型值）

單正電源（自偏置）

高增益：15.5 dB（典型值）

高OIP3：34 dBm（典型值）

6引腳、2 mm × 2 mm LFCSP

應(yīng)用

測試儀器儀表

通信

相關(guān)型號器件：

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