M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各類筆記本電腦和小型計算設(shè)備，提供卓越的性能和可靠性。 
產(chǎn)品技術(shù)資料 

型號 ：M471A1G44CB0-CWE 
內(nèi)存類型 ：DDR4 SDRAM 
容量 ：8GB 
工作頻率 ：3200 MT/s 
數(shù)據(jù)傳輸速率 ：高達(dá) 3200 MT/s 
電壓 ：1.2V（典型值） 
封裝類型 ：SO-DIMM 
制造工藝 ：符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) 

產(chǎn)品應(yīng)用 
M471A1G44CB0-CWE 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域： 

筆記本電腦 ：提升便攜式計算設(shè)備的性能，支持日常辦公、娛樂和多媒體處理。 
超極本 ：為輕薄型筆記本電腦提供高性能內(nèi)存支持，滿足高效能和長續(xù)航的需求。 
小型計算機 ：在小型桌面計算機和嵌入式系統(tǒng)中提供穩(wěn)定的內(nèi)存解決方案，確保系統(tǒng)的可靠性。 
游戲設(shè)備 ：提升游戲筆記本的性能，支持高畫質(zhì)游戲和流暢的多任務(wù)處理。 

產(chǎn)品介紹 
M471A1G44CB0-CWE 采用先進(jìn)的 DDR4 技術(shù)，具有更高的帶寬和更低的功耗，能夠顯著提升系統(tǒng)的整體性能。與前代產(chǎn)品相比，DDR4 內(nèi)存在數(shù)據(jù)傳輸速率和能效方面均有顯著提升，使其非常適合用于高性能計算和多任務(wù)處理的環(huán)境。 
該內(nèi)存模塊的設(shè)計經(jīng)過嚴(yán)格測試，確保其在各種工作條件下的可靠性和穩(wěn)定性。其低電壓運行（1.2V）不僅有助于降低功耗，還能減少發(fā)熱，提高系統(tǒng)的能效，延長設(shè)備的使用壽命。 
批號與數(shù)量信息 
目前，我們擁有 M471A1G44CB0-CWE 的庫存數(shù)量為  18,000.00 ，批號為  24+ ，確保能夠滿足大規(guī)模生產(chǎn)和項目需求。 
總結(jié) 
M471A1G44CB0-CWE 是一款性能卓越的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，能夠滿足各類移動計算設(shè)備的需求。憑借其高帶寬、低功耗和可靠性，這款內(nèi)存模塊是電子工程師和設(shè)計師的理想選擇。通過采用 M471A1G44CB0-CWE，您將能夠提升產(chǎn)品性能，滿足市場對高效能內(nèi)存解決方案的期待。