HMC637BPM5E是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、級聯分布式功率放大器，在正常工作時可實現自偏置且具有IDQ可選偏置控制和增益調整。該放大器的工作頻率范圍為DC至6 GHz，提供15 dB小信號增益、27.5 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮）、40 dBm典型輸出IP3和4 dB噪聲指數，采用VDD 12 V電源電壓時功耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范圍內的增益平坦度（典型值±0.5 dB時）非常出色，因而極為適合太空和測試設備應用。HMC637BPM5E還具有內部匹配至50 Ω的輸入/輸出(I/O)，采用符合RoHS標準的5 mm × 5 mm LFCSP預制空腔封裝，可與高容量表貼技術(SMT)裝配設備兼容。

特性

P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）

增益：15 dB（典型值）

輸出IP3：40 dBm（典型值）

在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制

50 Ω匹配輸入/輸出

32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2

應用

測試儀器儀表

相關型號器件：

HMC356LP3E

HMC996LP4E

HMC565LC5

HMC1082LP4E

HMC1013LP4E

HMC740ST89E

HMC618ALP3E

HMC7229LS6

HMC636ST89TR

HMC442LM1TR

HMC3587LP3BETR

HMC463LP5TR

HMC356LP3ETR

HMC326MS8GETR

HMC659LC5TR

HMC462LP5ETR

HMC636ST89

HMC866LC3TR

HMC451LC3

HMC751LC4TR

HMC608LC4TR