MOSFET
OptiMOSTM5 功率晶體管,150V
特性
-N 溝道，正常電平
-出色的柵極充電 x RDS（導通）產(chǎn)品（FOM）
-超低導通電阻 RDS(on)
-極低的反向恢復充電（Qrr）
-175°C 工作溫度
-無鉛鍍層；符合 RoHS 標準
-適用于高頻開關(guān)和同步校正
產(chǎn)品驗證
完全符合 JEDEC 工業(yè)應用標準
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TDSON-8-EP
- 類型 1個N溝道
- 漏源電壓(Vdss) 150V
- 連續(xù)漏極電流(Id) 114A
- 導通電阻(RDS(o 7.4mΩ@10V,50A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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