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QPD1014

型號: QPD1014

--- 產品參數 ---

  • 工作溫度 85

--- 產品詳情 ---

QPD1014:高性能15瓦30 - 1200 MHz GaN on SiC射頻輸入匹配晶體管
在現代通信、雷達和干擾系統中,射頻功率放大器的性能對信號質量和系統效率至關重要。QPD1014作為一款15瓦特的30 - 1200 MHz GaN on SiC射頻輸入匹配晶體管,以其卓越的功率輸出和高效率,成為多種應用的理想選擇。

產品概述
QPD1014的主要特點包括:

工作頻率范圍:30 - 1200 MHz
輸出功率(P3dB):在1 GHz時可達到12.5 W
功率附加效率(PAE):在P3dB時,1 GHz的效率高達70%
輸入阻抗:匹配至50歐姆
封裝類型:6 x 5 x 0.85 mm DFN封裝
偏置電壓:50 V
客戶痛點與解決方案
在雷達、干擾和通信系統中,客戶常常面臨功率不足、效率低下和設計復雜等問題。QPD1014的設計旨在有效解決這些痛點,提供以下優勢:

高輸出功率:QPD1014在1 GHz時能夠提供高達12.5 W的輸出功率,確保在30 - 1200 MHz頻段內滿足高功率需求,提升信號傳輸能力。

優異的功率效率:該晶體管在P3dB時的功率附加效率高達70%,在保證高功率輸出的同時,顯著降低了能耗,幫助客戶降低運營成本。

輸入匹配設計:QPD1014的輸入阻抗匹配至50歐姆,簡化了設計過程,方便與現有系統的集成。

小型封裝設計:6 x 5 x 0.85 mm的DFN封裝使得QPD1014能夠輕松集成到各種設備中,適應空間受限的應用場景。

寬頻帶性能:覆蓋30 - 1200 MHz的廣泛頻率范圍,QPD1014能夠滿足多種應用需求,增強了系統的靈活性。

技術參數
參數 規格
工作頻率范圍 30 - 1200 MHz
輸出功率(P3dB) 12.5 W at 1 GHz
功率附加效率(PAE) 70% at P3dB, 1 GHz
輸入阻抗 匹配至50歐姆
封裝類型 6 x 5 x 0.85 mm DFN封裝
偏置電壓 50 V
應用領域
QPD1014廣泛應用于以下領域:

雷達系統:為各種雷達應用提供高效的信號放大,確保精準的目標探測和跟蹤能力。
干擾系統:在干擾設備中提供強大的信號處理能力,增強干擾效果。
通信設備:在高頻通信系統中,提供穩定的信號放大,支持高數據速率和可靠的信號傳輸。
結論
QPD1014作為一款高性能的15瓦30 - 1200 MHz GaN on SiC射頻輸入匹配晶體管,憑借其卓越的功率輸出、高效率和小型封裝設計,成功滿足了現代雷達、干擾和通信系統的需求。無論是在高功率輸出還是在高頻性能方面,QPD1014都能為客戶提供可靠的解決方案,助力提升整體系統性能。

如果您對QPD1014有興趣或想了解更多信息,請訪問相關官網或聯系您的電子元器件分銷商。

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