JANTX2N6788：高效能N溝道功率MOSFET
產品概述

JANTX2N6788是IR公司推出的一款高效能N溝道功率MOSFET，專為高頻和高效能應用而設計。其優異的性能使其在電源管理和電機控制等領域得到了廣泛應用。

產品技術資料

最大漏極源極電壓 (Vds)：60V
最大漏極電流 (Id)：40A
柵源閾值電壓 (Vgs(th))：2V - 4V
Rds(on)：0.05Ω（在Vgs = 10V時）
封裝類型：TO-220
該器件的低導通電阻和快速響應時間使其在高頻開關應用中表現優異，能夠有效降低能量損耗。

產品應用

JANTX2N6788廣泛應用于：

開關電源
DC-DC轉換器
電機驅動
高頻開關電路
逆變器
憑借其出色的性能，JANTX2N6788成為了設計師們在選用功率MOSFET時的理想選擇。

產品介紹

JANTX2N6788的設計重點在于提高開關效率和降低功耗。其優異的熱性能使得在高負載條件下依然能夠保持穩定的工作狀態。該器件的低導通電阻特性使得在實際應用中能夠顯著提升系統效率。

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