女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

仁懋電子

創始于2011年,國家級專精特新企業,主營產品:肖特基?極管、三極管、低中?壓MOS、快恢復?極管、低壓降肖特基、IGBT等。

165 內容數 4.8w 瀏覽量 9 粉絲

仁懋MOT4160J

型號: MOT4160J
品牌: MOT(仁懋電子)

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

為你推薦

  • 全球爆款風扇燈!仁懋40W風扇燈核心器件矩陣2025-05-14 10:51

    風扇燈全球爆發的技術密碼在亞馬遜、Wayfair等平臺,一款中國設計的風扇燈正以“靜如羽毛、亮如極光”的極致體驗橫掃歐美市場。-靜音神話:1米處噪音<28dB(圖書館級靜音),超越傳統吊扇40dB水平;-能效霸權:通過ERPLot8/DOEVI雙認證,待機功耗<0.5W;-長壽基因:50,000小時壽命(日均使用8小時可用17年);-設計革命:54.71mm
  • AI電源革命!仁懋氮化鎵如何讓400W服務器電源效率狂飆至98%2025-05-10 12:06

    AI算力的“能耗之痛”在AI訓練集群中,單臺服務器功耗已突破4kW,電源系統面臨三重極限挑戰:效率瓶頸:傳統硅器件在高壓PFC段效率僅95%,年損耗電量超10萬度/千臺;散熱危機:電源模塊溫升>40℃,被迫使用暴力扇散熱,噪音高達55dB;體積桎梏:磁性元件體積占比超60%,制約機架密度提升。仁懋氮化鎵(GaN)解決方案,以“高頻高效、極寒運行”重構AI電源
  • 從型號看實力!仁懋GaN器件命名規則全解析2025-05-06 17:24

    型號背后的技術密碼仁懋氮化鎵(GaN)器件型號采用"三段式編碼規則",通過字母與數字組合精準傳遞技術參數。示例型號:MOTGE65R190Q1.前綴定位技術路線-GE:增強型(E-mode)氮化鎵-GD:耗盡型(D-mode)氮化鎵技術差異:E-mode器件無需負壓關斷,驅動電路更簡化;D-mode需搭配驅動IC實現常閉特性。2.耐壓等級標識-65:650V
    58瀏覽量
  • 靜音省電新標桿!仁懋MOS如何讓家用風扇能效飆升?2025-04-25 10:32

    在智能家居普及的今天,消費者對家用風扇的要求早已超越基礎送風功能,面臨的問題如下能效焦慮:傳統MOS導通損耗高,三級能效產品年耗電超50度,電費成本激增;噪音困擾:開關損耗導致的PWM嘯叫,夜間運行噪音>35dB;體積桎梏:笨重的電源模塊侵占設計空間,阻礙超薄化、藝術化造型;可靠性危機:電壓波動引發MOS雪崩失效,返修率高達12%。仁懋電子專為智能風扇打造的
    151瀏覽量
  • 告別燒MOS!仁懋大功率水泵電機控制選型指南2025-04-17 14:17

    在極端天氣頻發的當下,灌溉水泵已成為農田保收的生命線。然而,行業調研數據顯示:27%的灌溉系統故障源于MOS管過熱燒毀或浪涌擊穿,傳統器件在惡劣情況下暴露三大短板:高溫降容:環境溫度>45℃時,MOS電流承載能力驟降40%;水汽腐蝕:濕度>80%環境下,鍵合線銹蝕導致導通電阻(RDS(on))年漂移超15%;外部影響:外部環境復雜,對器件抗震動要求高,容易引
  • 突破100lm/W的幕后英雄!揭秘高光效LED的電源心臟2025-04-10 09:45

    當LED光效突破100lm/W,全球照明產業迎來高光時刻。然而,支撐這束光芒的電源系統卻暗流涌動——23%的LED燈具失效源于MOS管過熱或電壓擊穿,在礦井、化工等極端場景,這一數字更飆升至58%。仁懋電子推出AC-DC專用MOS矩陣,以“超低損耗、極致安全”重塑LED電源可靠性標準。行業痛點:光效背后的電源危機熱失控困局:傳統MOS高熱阻,影響50W燈具溫
    174瀏覽量
  • 仁懋MOS產品在電動叉車上的應用2025-04-02 14:22

    隨著電動叉車向高效化、輕量化、長續航方向發展,功率半導體器件的選擇對系統性能影響顯著。仁懋TOLL封裝的MOSFET憑借其低導通電阻(RDS(on))、高功率密度、優異的熱性能以及緊湊的封裝尺寸,成為電動叉車電力電子系統的理想選擇。仁懋電子深耕動力器件領域,推出MOT7130T4、MOT1113T4、MOT7136T等專用MOS產品,以“超低損耗、極致可靠”
  • 算力革命背后的隱形力量:仁懋MOSFET如何讓服務器電源效率狂飆?2025-03-21 17:35

    算力時代的高壓挑戰隨著AI大模型訓練集群規模突破10萬卡,單機柜功率密度已飆升至30kW,傳統服務器電源的MOSFET面臨極限考驗——1%的效率差距意味著單數據中心年損耗超5000萬度電。仁懋電子專為高壓直流場景打造的MOT12N65T/MOT35N65T,以“高頻高效、極寒散熱”重新定義服務器電源MOS選型標準。技術破局:三重復合戰力1.導通損耗碾壓式領先
  • 吸塵器“心臟”革命!仁懋TOLL技術重塑吸塵器動力2025-03-14 16:52

    吸塵器動力系統的“高溫圍城”在無線吸塵器滲透率超60%的今天,電機驅動MOS過熱降速卻成為用戶體驗的致命傷——行業測試數據顯示,80%的高端吸塵器在連續工作8分鐘后觸發MOS溫控保護,吸力衰減超25%。傳統封裝器件在高速無刷電機場景下面臨三重枷鎖:-電流暴力沖擊:電機啟動瞬間電流超150A,鍵合線熔斷風險激增;-散熱空間困局:MOS占PCB面積超20%,制約
    297瀏覽量
  • MOS高溫挑戰終結者?仁懋三款MOS器件引爆主機能效革命2025-03-06 17:55

    高性能主機的“供電生死局”隨著RTX40系顯卡、13代酷睿處理器功耗突破600W,傳統MOS器件正面臨前所未有的極限挑戰。某硬件論壇調研顯示,27%的藍屏/死機故障源于供電模塊MOS過熱或瞬態響應失效。在機箱空間緊縮與散熱壓力倍增的當下,以下難題尤為突出:-高溫枷鎖:MOS溫升>100℃觸發降頻,導致CPU/GPU性能折損高達15%;-瞬態響應危機:顯卡瞬間
    296瀏覽量