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TTElectronics/Semelab D2213UK 高性能硅DMOS射頻場效應管(RFFET)

型號: D2213UK
品牌: TT Electronics(TT)

--- 產品參數(shù) ---

  • 工作頻率 1MHz到2GHz
  • 最大工作電壓 12.5V
  • 最大工作電流 8A
  • 最大功率 20W
  • 增益 最小增益為10dB

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

描述

D2213UK是Semelab plc生產的一款金層化多功能硅DMOS射頻場效應管(RF FET),專為20W功率范圍內的應用設計,適用于12.5V以下的電壓,并且能夠處理高達1GHz的頻率。這款產品以其高增益和低噪聲特性,非常適合用于HF/VHF/UHF通信領域。

 

特性

  • 簡化的放大器設計:D2213UK的設計允許簡化放大器的電路設計,減少組件數(shù)量和復雜性。
  • 寬帶應用:適用于1MHz到2GHz的HF/VHF/UHF通信。
  • 極低Crss:極低的交叉電容有助于減少信號失真,提高放大器的性能。
  • 簡單的偏置電路:簡化的偏置設計使得產品更容易集成到現(xiàn)有電路中。
  • 低噪聲:低噪聲特性使其非常適合高保真度的通信系統(tǒng)。
  • 高增益:至少10dB的最小增益,確保信號的有效放大。
  • 符合RoHS標準:產品符合歐盟關于限制有害物質使用的法規(guī)。

 

應用

D2213UK的應用領域廣泛,主要包括:

  • HF/VHF/UHF通信:在1MHz到2GHz的頻率范圍內,適用于各種通信系統(tǒng)。
  • 金屬柵射頻硅場效應管:采用先進的金屬柵技術,提供更好的性能和可靠性。
  • TetraFET技術:利用TetraFET技術,提供更高的功率處理能力和更優(yōu)的熱性能。

 

電氣特性

  • 最大漏極電流:8A
  • 漏源擊穿電壓:40V
  • 柵源擊穿電壓:±20V
  • 存儲溫度:-65°C至150°C
  • 最大工作結溫:200°C

 

機械數(shù)據(jù)

  • 封裝類型:金層化多功能硅DMOS射頻場效應管
  • 引腳配置:包括源極(公共)、漏極和柵極等
  • 尺寸:詳細尺寸數(shù)據(jù)在產品數(shù)據(jù)手冊中有詳細描述

 

危險物質警告

D2213UK的陶瓷部分含有氧化鈹,氧化鈹粉塵具有高毒性。在處理和安裝時必須小心,避免損壞該區(qū)域。

 

總結

D2213UK是一款高性能的射頻場效應管,適用于需要高增益、寬帶寬和低噪聲的應用。其簡化的設計和符合環(huán)保標準的特性使其成為通信和相關領域的理想選擇。

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