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深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司

主要銷(xiāo)售觸摸芯片,DC-DC電源,微控制器單片機(jī),存儲(chǔ)器,MOS場(chǎng)效應(yīng)管,LED驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。

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AOS/萬(wàn)代 AON7405 DFN8 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管

型號(hào): AON7405

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號(hào) AON7405
  • 數(shù)量 5470
  • 封裝 DFN8
  • 品牌 AOS/萬(wàn)代
  • 批次 最新批次

--- 產(chǎn)品詳情 ---

特點(diǎn)
AON7405采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),-30V提供低柵極電荷的出色RDS(ON)
該設(shè)備是負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。?符合RoHS和無(wú)鹵素標(biāo)準(zhǔn)

描述
A.RθJA的值是用安裝在1in2 FR-4板上的裝置測(cè)量的,帶有2oz。銅,在TA=25°C的靜止空氣環(huán)境中。功率耗散PDSM基于RθJA t≤10s值和150°C的最大允許結(jié)溫。任何給定應(yīng)用程序中的值都取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。B.功率耗散PD基于TJ(MAX)=150°C,使用結(jié)-殼熱阻,在使用額外散熱的情況下設(shè)置耗散上限更有用。C.重復(fù)額定值,脈沖寬度受結(jié)溫TJ(MAX)=150°C的限制。額定值基于低頻率和工作循環(huán),以保持初始TJ=25°C。D.RθJA是從結(jié)到情況RθJC和從情況到環(huán)境的熱阻之和。E.圖1至圖6中的靜態(tài)特性是使用<300μs脈沖獲得的,占空比最大為0.5%。這些曲線基于結(jié)-殼熱阻,該熱阻是在將設(shè)備安裝到大型散熱器上的情況下測(cè)量的,假設(shè)最大結(jié)溫度為T(mén)J(max)=150°C。SOA曲線提供單個(gè)脈沖額定值。G.最大額定電流受封裝限制。H.這些測(cè)試是在設(shè)備安裝在1 in2 FR-4板上的情況下進(jìn)行的,板上有2 oz。銅,在TA=25°C的靜止空氣環(huán)境中。

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