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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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微碧半導體VBsemi產品

  • 2SJ668-VB-TO252封裝P溝道MOSFET2023-10-30 15:13

    產品型號:2SJ668-VB 類型: P溝道 最大耐壓: 60V 最大電流:38A 導通電阻: 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V 門源電壓: 20Vgs (±V)
  • 2SK4033-VB-TO252封裝N溝道MOSFET2023-10-30 15:04

    產品型號:2SK4033-VB 類型 :N溝道 最大耐壓: 60V 最大漏極電流: 18A 導通時的電阻(RDS: 73mΩ@10V, 85mΩ4.5V 柵極電壓(Vgs):范圍 ±20V
  • AP2301GN-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET2023-10-30 14:55

    產品型號:AP2301GN-VB 頻道類型: P溝道 額定電壓: 20V 額定電流 :4A RDS(ON): 57mΩ @ 4.5V,83mΩ @ 2.5 門源電壓范圍: ±12V
  • AO4407-VB-SOP8封裝P溝道MOSFET2023-10-30 14:46

    產品型號:AO4407-VB 極性: P溝道 額定電壓: 30V 額定電流: 7A 門源電壓 :20Vgs(±V) 閾值電壓: 1.37Vth (V)
  • NTGS3455T1G-VB-SOT23-6封裝P溝道MOSFET2023-10-30 14:34

    產品型號:NTGS3455T1G-VB 類型: P溝道 最大耐壓 :30V 最大電流 :4.8A 導通電阻: 49mΩ @10V, 54mΩ @4.5V 門源電壓: 20Vgs (±V)
  • DMG6968U-7-VB-SOT23封裝N溝道MOSFET2023-10-30 14:25

    產品型號:DMG6968U-7-VB 類型: N溝道 最大耐壓 :30V 最大漏極電流: 6.5A 導通時的電阻:(RDS(ON)) 30mΩ@10V, 33mΩ 柵極電壓(Vgs): ±20V
  • FQU13N10L-VB-TO251封裝N溝道MOSFET2023-10-30 14:13

    產品型號:FQU13N10L-VB 頻道類型: N溝道 額定電壓 :100V 額定電流 :15A RDS(ON): 115mΩ @ 10V,120mΩ @ 4. 門源電壓范圍: ±20V
  • STD35NF06T4-VB-TO252封裝N溝道MOSFET2023-10-30 14:03

    產品型號:STD35NF06T4-VB 極性: N溝道 額定電壓: 60V 額定電流 :45A 導通電阻 :24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V 門源電壓: 20Vgs (±V)
  • KD2301-VB-SOT23封裝溝道MOSFET2023-10-30 13:42

    產品型號:KD2301-VB 類型: P溝道 最大耐壓 :20V 最大漏極電流: 4A 導通時的電阻:(RDS(ON)) 57mΩ@4.5V, 83m 柵極電壓(Vgs)范: ±12V
  • HM3401PR-VB-SOT89-3封裝P溝道MOSFET2023-10-30 11:55

    產品型號:HM3401PR-VB 頻道類型 :P溝道 額定電壓: 30V 額定電流 :5.8A RDS(ON) :50mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5 門源電壓范圍: ±20V