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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • C3D10065A2022-05-31 20:32

    產(chǎn)品型號:C3D10065A 重復(fù)峰值反向電壓:650V 浪涌峰值反向電壓:650V 直流阻斷電壓:650V 非重復(fù)峰值正向浪涌電:90-71A 功耗:136.5-59W
  • C3D10065E分立碳化硅肖特基二極管2022-05-31 20:25

    產(chǎn)品型號:C3D10065E 重復(fù)峰值反向電壓:650V 浪涌峰值反向電壓:650V 直流阻斷電壓:650V 非重復(fù)峰值正向浪涌電:90-71A 功耗:150-65W
  • C6D10065G分立碳化硅肖特基二極管2022-05-31 20:16

    產(chǎn)品型號:C6D10065G 重復(fù)峰值反向電壓:650V 直流阻斷電壓:650V 最大持續(xù)電流:10A 總電容電荷:34 nC 功耗:108W
  • C6D10065Q分立碳化硅肖特基二極管2022-05-31 20:02

    產(chǎn)品型號:C6D10065Q 重復(fù)峰值反向電壓:650V 直流阻斷電壓:650V 電容儲能:5.2µJ 外殼和存儲溫度:-55 to +150°C 最高加工溫度:325°C
  • CGH35240F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-30 11:12

    產(chǎn)品型號:CGH35240F 頻率:3.1 – 3.5 GHz 操作 輸出功率:240 W 典型輸出功率 功率增益:11.6 dB 功率增益在 PIN = 42.0 dBm 功率附加效率:57% 的典型功率附加效率 內(nèi)部匹配:50 歐姆內(nèi)部匹配
  • CGH35060P2 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-30 11:03

    產(chǎn)品型號:CGH35060P2 頻率:3.1 – 3.5 GHz 操作 峰值功率:60 W 峰值功率能力 增益:12 dB 小信號增益 排水效率:60% 排水效率
  • CGH35060P1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-30 10:41

    產(chǎn)品型號:CGH35060P1 頻率:3.3 – 3.6 GHz 操作 峰值功率:60 W 峰值功率能力 增益:12 dB 小信號增益 8.0 W PAVE:8.0 W PAVE 在 < 2.0% EVM 8 W PAVE:8 W PAVE 時的排水效率為 25%
  • CGH35015P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-30 10:20

    產(chǎn)品型號:CGH35015P 頻率:3.3 – 3.9 GHz 操作 峰值功率:15 W 峰值功率能力 增益:12 dB 小信號增益 2.0 W PAVE:2.0 W PAVE 在 < 2.0% EVM 2 W 時效率:平均功率為 2 W 時效率為 26%
  • CGH31240F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-30 10:03

    產(chǎn)品型號:CGH31240F 頻率:2.7 – 3.1 GHz 操作 增益:12分貝功率增益 效率:60% 功率附加效率 脈沖幅度:< 0.2 dB 脈沖幅度下降
  • CGH27060F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-30 09:25

    產(chǎn)品型號:CGH27060F 頻率:VHF – 3.0 GHz 操作 增益:14 dB 小信號增益 8.0 W PAVE:8.0 W PAVE 在 < 2.0% EVM 8 W漏極效率:平均功率為 8 W 時的漏極效率為 27%