產品
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STM32L433RCT6集成電路(IC)嵌入式 - 微控制器 ST2022-06-17 10:35
產品型號:STM32L433RCT6 功耗::超低功耗微控制器 工作頻率::80 MHz 電壓 - 供電 (V:1.71V ~ 3.6V 電容感應::21通道 通信接口::標準和高級 -
STM32L433CCU6集成電路(IC)嵌入式 - 微控制器 ST2022-06-17 10:14
產品型號:STM32L433CCU6 功耗::超低功耗微控制器 工作頻率::80 MHz 電壓 - 供電 (V:1.71V ~ 3.6V 電容感應::21通道 通信接口::標準和高級 -
CGHV35060MP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 17:11
產品型號:CGHV35060MP 典型輸出功率:75W 功率增益:14.5分貝 排水效率:67% 內部預匹配輸入:無與倫比的輸出 -
CGHV35400F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-16 16:56
產品型號:CGHV35400F-AMP 操作頻率:2.9 – 3.5 GHz 典型輸出功率:500 W 功率增益:11分貝 典型排水效率:70% 歐姆內部匹配:50 -
CGHV35400F1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:54
產品型號:CGHV35400F1 操作頻率:2.9 – 3.5 GHz 典型輸出功率:500 W 功率增益:11分貝 典型排水效率:70% 歐姆內部匹配:50 -
CGHV35400F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:52
產品型號:CGHV35400F 操作頻率:2.9 – 3.5 GHz 典型輸出功率:500 W 功率增益:11分貝 典型排水效率:70% 歐姆內部匹配:50 -
CGHV35150F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-16 16:39
產品型號:CGHV35150F-AMP 額定功率 :150 W @ TCASE = 85°C 工作頻率:2.9 – 3.5 GHz 瞬態占比: 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益:13.5 dB @TCASE = 85°C 典型漏極效率:50 % @TCASE = 85°C -
CGHV35150F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:37
產品型號:CGHV35150F 額定功率:150 W 工作頻率 :2.9 – 3.5 GHz 瞬態占比: 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益:13.5 dB 典型漏極效率:50 % -
CGHV35150P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:35
產品型號:CGHV35150P 額定功率:150 W @ TCASE = 85°C 工作頻率:2.9 – 3.5 GHz 瞬態占比: 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益:13.5 dB 典型漏極效率:50 % -
CGHV31500F1-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-16 16:13
產品型號:CGHV31500F1-AMP 操作頻率:2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率:650 W 功率增益:12分貝 典型排水效率:65% 歐姆內部匹配:50