產品
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STM32L433RCT6集成電路（IC）嵌入式 - 微控制器 ST2022-06-17 10:35
產品型號：STM32L433RCT6 功耗：：超低功耗微控制器 工作頻率：：80 MHz 電壓 - 供電 (V：1.71V ~ 3.6V 電容感應：：21通道 通信接口：：標準和高級 -
STM32L433CCU6集成電路（IC）嵌入式 - 微控制器 ST2022-06-17 10:14
產品型號：STM32L433CCU6 功耗：：超低功耗微控制器 工作頻率：：80 MHz 電壓 - 供電 (V：1.71V ~ 3.6V 電容感應：：21通道 通信接口：：標準和高級 -
CGHV35060MP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 17:11
產品型號：CGHV35060MP 典型輸出功率：75W 功率增益：14.5分貝 排水效率：67% 內部預匹配輸入：無與倫比的輸出 -
CGHV35400F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-16 16:56
產品型號：CGHV35400F-AMP 操作頻率：2.9 – 3.5 GHz 典型輸出功率：500 W 功率增益：11分貝 典型排水效率：70% 歐姆內部匹配：50 -
CGHV35400F1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:54
產品型號：CGHV35400F1 操作頻率：2.9 – 3.5 GHz 典型輸出功率：500 W 功率增益：11分貝 典型排水效率：70% 歐姆內部匹配：50 -
CGHV35400F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:52
產品型號：CGHV35400F 操作頻率：2.9 – 3.5 GHz 典型輸出功率：500 W 功率增益：11分貝 典型排水效率：70% 歐姆內部匹配：50 -
CGHV35150F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-16 16:39
產品型號：CGHV35150F-AMP 額定功率 ：150 W @ TCASE = 85°C 工作頻率：2.9 – 3.5 GHz 瞬態占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益：13.5 dB @TCASE = 85°C 典型漏極效率：50 % @TCASE = 85°C -
CGHV35150F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:37
產品型號：CGHV35150F 額定功率：150 W 工作頻率 ：2.9 – 3.5 GHz 瞬態占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益：13.5 dB 典型漏極效率：50 % -
CGHV35150P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:35
產品型號：CGHV35150P 額定功率：150 W @ TCASE = 85°C 工作頻率：2.9 – 3.5 GHz 瞬態占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益：13.5 dB 典型漏極效率：50 % -
CGHV31500F1-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-16 16:13
產品型號：CGHV31500F1-AMP 操作頻率：2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率：650 W 功率增益：12分貝 典型排水效率：65% 歐姆內部匹配：50