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      Vishay

      BPW82

      PHOTODIODE 750 TO 1050 NM

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      BPW82 器件參數(shù)

      Function

      • 波長
        950 nm
      • 容值
        40 pF
      • 反向電壓
        60 V
      • 反向擊穿電壓
        60 V
      • 功率耗散
        215 mW
      • 下降時間
        100 ns
      • 上升時間
        100 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        2
      • 工作溫度
        -40 °C, 100 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 可視角度
        130 o
      • 包裝方式
        Bulk
      • 制造商封裝
        DIP

      Compliance

      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      BPW82 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      BPW82 數(shù)據(jù)手冊

      BPW82 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip