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晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):-;功率(Pd):300mW;集電極截止電流(Icbo):20nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征頻率(fT):200MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);
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