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ON Semiconductor

FDC8601

MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6

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FDC8601 器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    3 V
  • 閘/源截止電壓
    3 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    2.7 A
  • 輸入偏置電容@50V
    210 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    109 mΩ
  • 漏源電壓
    100 V
  • 漏源極擊穿電壓
    100 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@2.7A,10V
    109 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    109 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    5 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    4.5 ns
  • 功率耗散
    1.6 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    7.6 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    2 ns
  • 上升時(shí)間
    1.3 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    SOT-23-6

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1 mm
  • 長(zhǎng)度
    3 mm
  • 寬度
    1.7 mm

FDC8601 數(shù)據(jù)手冊(cè)

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來(lái)源
  • FDC8601
    1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

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  • Huaqiu Chip

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