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      ON Semiconductor

      FDB031N08

      MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

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      FDB031N08 器件參數

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續漏極電流
        235 A
      • 輸入偏置電容
        15.16 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        3.1 mΩ
      • 漏源電壓
        75 V
      • 漏源極擊穿電壓
        75 V
      • 漏源導通電阻@10V,75A
        3.1 mΩ
      • 漏源導通電阻
        3.1 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4.5 V
      • 柵極電荷
        220 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        230 ns
      • 功率耗散
        375 W
      • 關閉延遲時間
        335 ns
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        121 ns
      • 上升時間
        191 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數量
        1
      • 制造商封裝
        D2PAK

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        4.83 mm
      • 長度
        10.67 mm
      • 寬度
        11.33 mm

      FDB031N08 數據手冊

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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      FDB031N08 圖片

      • Huaqiu Chip

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